近日，第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元C輪融資，這是繼今年3月完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資以來的又一輪融資。
本輪增資由蔚來資本、美團龍珠領(lǐng)投，華興資本旗下華興新經(jīng)濟基金、欣柯資本等跟投，老股東歌爾微電子、三七互娛等繼續(xù)加碼。
晶湛半導(dǎo)體創(chuàng)始人、總裁程凱博士表示：”今后晶湛將繼續(xù)加大研發(fā)和技術(shù)投入，加速推進GaN材料在汽車電子等領(lǐng)域的應(yīng)用?！?/p>
今年以來，晶湛半導(dǎo)體獲得了兩輪融資，其氮化鎵外延項目也是突破不斷。
今年3月，晶湛半導(dǎo)體宣布完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資。由歌爾微電子（歌爾股份控股子公司）領(lǐng)投，高瓴創(chuàng)投、惠友資本、創(chuàng)新工場、禾創(chuàng)致遠、共青城軍合、無限基金、三七互娛、中信證券等跟投，老股東元禾控股、湖杉資本等繼續(xù)加碼。
8月，晶湛半導(dǎo)體進行“蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司氮化鎵外延片年產(chǎn)新增10000片項目”環(huán)境影響評價工作。項目在現(xiàn)有租賃廠房內(nèi)進行擴建，建成后預(yù)計年新增氮化鎵外延片1萬片。
11月，晶湛半導(dǎo)體總部大樓建設(shè)項目封頂，項目聚焦氮化鎵外延片的研發(fā)生產(chǎn)。據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)管理委員會此前公示，晶湛半導(dǎo)體新建氮化鎵外延片生產(chǎn)擴建項目建成后可年產(chǎn)氮化鎵外延片24萬片。其中，6英寸和8英寸氮化鎵外延片年產(chǎn)能均為12萬片，用于制造微波功率器件和電力電子功率器件。
圖片來源：晶湛半導(dǎo)體
據(jù)了解，晶湛半導(dǎo)體成立于2012年，公司聚焦第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵外延片的研發(fā)生產(chǎn)，是目前國際上唯一可供應(yīng)300mm硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的廠商。
目前已建成國內(nèi)規(guī)模領(lǐng)先的GaN外延材料研發(fā)和生產(chǎn)基地，并已先后通過ISO9001:2015質(zhì)量管理體系和IATF16949:2016車規(guī)質(zhì)量管理體系標準認證。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）
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