應用材料將建下一代半導體設備研發(fā)中心

作者 | 發(fā)布日期 2022 年 12 月 23 日 17:20 | 分類 氮化鎵GaN

日前,應用材料宣布,計劃在美國的創(chuàng)新基礎設施上投資數(shù)十億美元,并從現(xiàn)在到2030年擴大其全球制造能力。

該公司計劃在加州森尼維爾建立下一代基礎半導體技術和工藝設備研發(fā)中心,其規(guī)模將取決于政府的支持。這項投資計劃于2023年初在硅谷啟動。

此外,該公司還在對其全球各地的基礎設施進行投資,并將于12月22日為其在新加坡區(qū)域中心擴建舉行奠基儀式。應用材料表示,將投資加強其在新加坡的研發(fā)能力,重點是加速新技術和服務的商業(yè)化,以提高芯片功率、性能、面積、成本和上市時間。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

11月,應用材料公布了2022財年Q4業(yè)績,營收67.5億美元,同比增長10%,創(chuàng)歷史新高。毛利率為45.9%,凈利潤為15.9億美元。此外,2022財年該公司總營收為257.9億美元。毛利率達46.5%,創(chuàng)歷史新高。

應用材料預計,2023財年第一季度凈銷售額約為63億美元到71億美元。非GAAP準則下調整后的每股攤薄收益約為1.75美元至2.11美元。(文:集邦化合物半導體 Cecilia整理)

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