日前，遼寧百思特達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“百思特達(dá)”）氮化鎵半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目已進(jìn)入產(chǎn)品試生產(chǎn)階段。
據(jù)此前披露消息，項(xiàng)目于2019年11月開(kāi)工建設(shè)，總投資3億元，占地面積125畝，總建筑面積5萬(wàn)余平方米。其中包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產(chǎn)車(chē)間、1棟芯片封裝及應(yīng)用產(chǎn)品生產(chǎn)制造車(chē)間、1棟成品庫(kù)房、1棟制氫站、1棟研發(fā)中心及綜合管理用房等建設(shè)內(nèi)容。
氮化鎵半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目于2022年12月中旬全面竣工投產(chǎn)，在完成廠務(wù)動(dòng)力設(shè)備包含電力設(shè)備系統(tǒng)、水設(shè)備系統(tǒng)、氣化設(shè)備系統(tǒng)、FFU系統(tǒng)等調(diào)試工作后，并同步對(duì)MOCVD、烤盤(pán)爐等一系列生產(chǎn)設(shè)備的一、二、三階調(diào)試完成后，開(kāi)始進(jìn)行產(chǎn)品試生產(chǎn)。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
氮化鎵半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目的建成達(dá)產(chǎn)，將為百思特達(dá)增加10條氮化鎵外延生產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)10萬(wàn)片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產(chǎn)能提升。
盤(pán)錦高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)消息稱，氮化鎵半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目正式投產(chǎn)后，百思特達(dá)將成為擁有核心競(jìng)爭(zhēng)力的氮化鎵芯片完整產(chǎn)業(yè)鏈綜合高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)企業(yè)，盤(pán)錦也將成為全國(guó)氮化鎵芯片主要生產(chǎn)基地之一。
百思特達(dá)成立于2019年8月，是興隆臺(tái)區(qū)和盤(pán)錦高新區(qū)共同引進(jìn)的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目。該公司主要研發(fā)生產(chǎn)氮化鎵晶圓及氮化鎵基芯片系列產(chǎn)品，是全國(guó)唯一一家擁有藍(lán)光LED外延生長(zhǎng)技術(shù)和石墨烯薄膜沉積技術(shù)2項(xiàng)諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)產(chǎn)業(yè)的公司。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Cecilia整理）
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