隨著終端產(chǎn)品對(duì)氮化鎵的加速應(yīng)用，氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大。相較于硅，氮化鎵高頻率、小體積的優(yōu)勢(shì)不言而喻，但價(jià)格卻仍然讓許多方案廠商猶豫不決。英諾賽科坐擁全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓制造基地，規(guī)?；慨a(chǎn)使氮化鎵成本在行業(yè)中具備較強(qiáng)的競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)。
近期還推出了采用TO252 / TO220封裝的氮化鎵新品，并將其應(yīng)用在120W 雙面板適配器方案中，將高效率、高功率密度和高性價(jià)比三項(xiàng)特性發(fā)揮到極致。
01 主要參數(shù)
尺寸
56mm*46mm*20mm
效率
94.6%@230Vac（without NTC）
功率密度
38W/in^3
InnGaN
INN700TK240A（TO252）
INN700TJ240A（TO220F）
02、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
Flyback （CCM @90Vac / QR）
03、封裝優(yōu)勢(shì)
借助于InnoGaN平面結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)，TO252 封裝散熱PAD 可連接大面積散熱銅箔，TO 220 封裝散熱片加裝更加簡單；
相比Si MOS，TO 封裝的GaN 能夠使 Cpe 減小5/6，共模噪音減小5/6；
InnoGaN TO封裝的驅(qū)動(dòng)回路G-S與功率回路D-S天然解耦，能將layout設(shè)計(jì)達(dá)到更優(yōu)。
04、溫升對(duì)比
在相同功率方案的測(cè)試對(duì)比下，采用 TO 封裝的 INN700TJ240A 溫升表現(xiàn)比 Si MOS 更優(yōu)，最大溫度收益可達(dá)到18℃。
05、方案優(yōu)勢(shì)
1. 無PFC架構(gòu)，輸入低壓器件損耗大，充分利用GaN Source接散熱PAD結(jié)構(gòu)及優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，使得Demo功率密度和效率達(dá)到業(yè)界最優(yōu)，輸入90Vac帶滿載6分鐘工況下溫升問題也得以解決；
2. 開拓了E-mode GaN TO封裝參考設(shè)計(jì)，將效率和功率密度發(fā)揮到極致，為客戶提供了應(yīng)用指導(dǎo)。
06、應(yīng)用領(lǐng)域
采用TO封裝的氮化鎵120W大功率方案為手機(jī)充電廠商提供了高效率、小體積、高性價(jià)比的參考設(shè)計(jì)，是手機(jī)、平板、筆記本電腦等消費(fèi)類電子產(chǎn)品快充的絕佳選擇。（文：英諾賽科 作者小諾）
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