文章分類： 氮化鎵GaN

車規(guī)級(jí)功率器件需求擴(kuò)增，氮化鎵要“吃進(jìn)”部分碳化硅市場(chǎng)？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 21 日 17:25 |
| 分類: 氮化鎵GaN
根據(jù)韓國(guó)媒體 BusinessKorea 報(bào)導(dǎo)，三星電子即將進(jìn)軍氮化鎵 （GaN）市場(chǎng)，目的是為了滿足汽車領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體的需求。 報(bào)導(dǎo)引用知情人士的說(shuō)法指出，三星電子近期在韓國(guó)、美國(guó)舉辦的“2023三星晶圓代工論壇”活動(dòng)宣布，將在2025年起，為消費(fèi)級(jí)、資料中心和汽車應(yīng)用提供8...  [詳內(nèi)文]

總投資12億元，這個(gè)GaN項(xiàng)目投入使用

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 20 日 17:45 |
| 分類: 氮化鎵GaN
據(jù)馬鞍山經(jīng)開區(qū)消息，7月15日，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司新廠區(qū)正式揭牌投用。此次投入使用的新廠區(qū)占地52畝，新建廠房5.1萬(wàn)平方米，主要從事氮化鎵超高頻AC/DC電源管理芯片、氮化鎵應(yīng)用模組封裝線的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。 此前公開消息顯示，東科半導(dǎo)體超高頻氮化鎵電源管理芯片項(xiàng)目...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科再推兩款GaN器件，在工業(yè)市場(chǎng)挖掘新藍(lán)海

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 20 日 17:45 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，為了推進(jìn)GaN在高頻市場(chǎng)的應(yīng)用，英諾賽科基于150V電壓平臺(tái)推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 兩款中低壓 GaN。 其中 INN150FQ032A 采用 FCQFN 4mmx6mm 封裝，體積小巧，且開關(guān)損耗低，具有良好的效率表現(xiàn)，目前已成功量...  [詳內(nèi)文]

鎵、鍺出口管制，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈影響幾何？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 19 日 15:58 |
| 分類: 氮化鎵GaN
7月3日，中國(guó)商務(wù)部和海關(guān)總署宣布，為維護(hù)國(guó)家安全和利益，決定自2023年8月1日起對(duì)鎵和鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制。其中，鎵相關(guān)物項(xiàng)包括金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵等8項(xiàng)，鍺相關(guān)物項(xiàng)包括金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅等6項(xiàng)，具體如下兩個(gè)表： 作為新興的戰(zhàn)略關(guān)鍵礦產(chǎn)，鎵、鍺均已被列入國(guó)家戰(zhàn)...  [詳內(nèi)文]

中芯國(guó)際換帥

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 18 日 17:50 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨日，中芯國(guó)際在港交所發(fā)布公告稱，高永崗因工作調(diào)整，辭任公司董事長(zhǎng)、執(zhí)行董事及董事會(huì)提名委員會(huì)主席職務(wù)，自2023年7月17日起生效。 公司副董事長(zhǎng)、執(zhí)行董事及董事會(huì)提名委員會(huì)委員劉訓(xùn)峰獲委任為公司董事長(zhǎng)、執(zhí)行董事及董事會(huì)提名委員會(huì)主席，自2023年7月17日起生效。 據(jù)公告內(nèi)容...  [詳內(nèi)文]

不要把800V的高成本妖魔化，這些主機(jī)廠和Tier 1正在卷技術(shù)卷規(guī)模

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 18 日 17:50 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
小鵬G6上市熱潮再度掀起800V的適用性和適配性討論。同樣電驅(qū)Tier 1在近兩年陸續(xù)發(fā)布了許多800V新品。 在這個(gè)過(guò)程中，整個(gè)行業(yè)提出了幾大問(wèn)題：800V電驅(qū)該怎么降本，面臨著哪些技術(shù)挑戰(zhàn)？外資Tier 1能否在800V時(shí)代超車？ 為什么800V？ 800V的興起源于對(duì)超快充...  [詳內(nèi)文]

金剛石基GaN問(wèn)世

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 17 日 17:57 |
| 分類: 氮化鎵GaN
材料往往因特定優(yōu)勢(shì)而聞名。金剛石正因?yàn)樵谑覝叵戮哂凶罡叩臒釋?dǎo)率(2000W/m.K)，兼具帶隙寬、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗輻照等優(yōu)越性能，而在高功率、高頻、高溫領(lǐng)域有至關(guān)重要的應(yīng)用。金剛石，已被認(rèn)為是目前最有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一。 美國(guó)國(guó)防...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)首款大功率藍(lán)光激光器芯片亮相上海慕尼黑光電展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 13 日 13:56 |
| 分類: 氮化鎵GaN
颶芯科技于7月11至7月13日，亮相上海慕尼黑光電展（展位號(hào) 8.1A320）。激光二極管系列產(chǎn)品涵蓋紫光（405nm）、藍(lán)光（450nm）、綠光（505nm）、紅光（650nm）等可見光波長(zhǎng)范圍，并為客戶提供TO56、TO9、COS等靈活的產(chǎn)品封裝形式。 颶芯科技（hur...  [詳內(nèi)文]

又一GaN研究院成立

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 29 日 17:39 |
| 分類: 氮化鎵GaN
6月26日，由西安電子科技大學(xué)廣州研究院（簡(jiǎn)稱西電廣研院）與新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd（簡(jiǎn)稱ICCT）合作共建的“氮化鎵器件和集成電路先進(jìn)封裝技術(shù)研究中心”，在廣東-新加坡合作理事會(huì)第十三次會(huì)議上成功簽約。 據(jù)悉，該研究中心圍繞第三代半導(dǎo)...  [詳內(nèi)文]