文章分類： 氮化鎵GaN

國(guó)內(nèi)首條GaN激光器芯片量產(chǎn)線投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 27 日 17:12 |
| 分類: 氮化鎵GaN
3月22日，廣西颶芯科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱：颶芯科技）GaN半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線在柳州市北部生態(tài)新區(qū)舉行投產(chǎn)儀式。 颶芯科技成立于2020年，是北京颶芯的全資子公司，主要從事科技推廣和應(yīng)用服務(wù)業(yè)，經(jīng)營(yíng)范圍覆蓋集成電路、半導(dǎo)體分立器件、顯示器件、半導(dǎo)體照明等多個(gè)領(lǐng)域，具體包...  [詳內(nèi)文]

深圳寶安：錨定第三代半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)，2025年產(chǎn)值破1200億元

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 24 日 17:35 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，深圳寶安發(fā)布了《寶安區(qū)培育發(fā)展半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)集群實(shí)施方案（2023—2025年）》（以下簡(jiǎn)稱《方案》），明確提出到2025年，構(gòu)筑具有全球影響力的車規(guī)級(jí)、人工智能、穿戴芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集聚高地，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值突破1200億元，增加值突破280億元，培育5家以上產(chǎn)值超20億元的企...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科發(fā)布兩款40V VGaN新品，均采用WLCSP封裝

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 23 日 17:05 |
| 分類: 氮化鎵GaN
在消費(fèi)類電子領(lǐng)域，氮化鎵于手機(jī)、筆電快充中的應(yīng)用已大量普及，大大滿足了消費(fèi)者對(duì)移動(dòng)設(shè)備快速續(xù)航的需求。而在手機(jī)內(nèi)部，電源開關(guān)依然采用傳統(tǒng)的硅MOSFET，其體積與阻抗的限制，不僅占據(jù)了手機(jī)主板的大量空間，且在面對(duì)大功率快充時(shí)，硅MOSFET會(huì)產(chǎn)生較大的溫升與效率損耗，影響快充的穩(wěn)...  [詳內(nèi)文]

又一GaN快充芯片企業(yè)上市，小米與OPPO加持

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 21 日 17:32 |
| 分類: 氮化鎵GaN
南芯科技近期公布首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市發(fā)行安排及初步詢價(jià)公告。根據(jù)公告，此次于科創(chuàng)板IPO，南芯科技擬發(fā)行6353萬股，占發(fā)行后總股本的15%。初步詢價(jià)時(shí)間為3月21日，網(wǎng)下申購(gòu)時(shí)間為3月24日，申購(gòu)代碼為787484。 作為國(guó)內(nèi)電源管理芯片領(lǐng)域不可忽視的新秀，南芯科技在...  [詳內(nèi)文]

5000萬元，SAW濾波器IDM企業(yè)聲芯電子再融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 17 日 16:13 |
| 分類: 氮化鎵GaN
3月6日，蘇州聲芯電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：聲芯電子）宣布完成五千萬元A++輪融資。 本輪融資由蘇州人才基金二期、錦泰金鴻、源禾資本、江帆實(shí)業(yè)等共同投資，老股東東證資本追加投資，資金將主要用于南通及日照聲表濾波器制造產(chǎn)線的產(chǎn)能擴(kuò)建，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)月產(chǎn)聲表濾波器超過五千萬顆。 圖片...  [詳內(nèi)文]

直擊2023亞洲充電展：英諾賽科、納微等17家三代半龍頭聚集

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 17 日 10:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月14日，為期三天的2023（春季）亞洲充電展在深圳正式開幕?，F(xiàn)場(chǎng)展示和發(fā)布了數(shù)千款新品，覆蓋電源芯片、功率器件、被動(dòng)器件、新能源產(chǎn)品、消費(fèi)類電源、智能化設(shè)備等領(lǐng)域。 據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)了解到，此次展會(huì)，英諾賽科、基本半導(dǎo)體、納微半導(dǎo)體、芯塔電子、P...  [詳內(nèi)文]

愛科思達(dá)第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目簽約落地

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 16 日 15:13 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月15日，火炬工業(yè)集團(tuán)與深圳愛科思達(dá)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“愛科思達(dá)”）在舉行“智能電源設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目”簽約儀式。 圖片來源：中山火炬工業(yè)集團(tuán) 據(jù)悉，愛科思達(dá)建設(shè)打造的智能電源設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目，擬投資8億元，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)新增產(chǎn)值超10億元，稅收超5000萬元。項(xiàng)目建成...  [詳內(nèi)文]

中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的2022

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 15 日 17:33 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，又泛起了波瀾。 芯片制造實(shí)力被視為是未來全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的核心，而半導(dǎo)體設(shè)備作為芯片制造的關(guān)鍵，是近幾年討論的熱門話題，尤其是隨著美國(guó)對(duì)華制裁的推進(jìn)，半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域更是被推上了風(fēng)口浪尖。國(guó)際設(shè)備巨頭相繼開始弱化中國(guó)市場(chǎng)，以期減少美國(guó)的對(duì)華出口限制的沉重負(fù)擔(dān)。 與...  [詳內(nèi)文]

羅姆確立新技術(shù)，更好地激發(fā)GaN等高速開關(guān)器件性能

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 14 日 17:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，羅姆（ROHM）宣布確立了一項(xiàng)超高速驅(qū)動(dòng)控制IC技術(shù)，利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開關(guān)器件的性能。 Source：羅姆 近年來，GaN器件因其具有高速開關(guān)的特性優(yōu)勢(shì)而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負(fù)責(zé)GaN器件的驅(qū)動(dòng)控制）的速度已成為亟需解決的課題。 在...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科氮化鎵項(xiàng)目在列，蘇州發(fā)布2023重點(diǎn)項(xiàng)目清單

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 03 月 14 日 17:13 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，蘇州發(fā)改委發(fā)布《2023年蘇州市重點(diǎn)項(xiàng)目清單》。2023年，蘇州安排市重點(diǎn)項(xiàng)目468個(gè)，其中418個(gè)實(shí)施項(xiàng)目，總投資1.27萬億元，年度計(jì)劃投資2301億元；儲(chǔ)備項(xiàng)目50個(gè)，總投資1732億元。 按項(xiàng)目類別看，清單共有141個(gè)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，涉及電子信息、高端裝備、新材...  [詳內(nèi)文]