文章分類： 氮化鎵GaN

最新議程出爐！第三代半導體前沿趨勢研討會匯集行業(yè)大咖

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 02 日 17:16 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2023年6月15日，TrendForce集邦咨詢將在深圳福田JW萬豪酒店舉辦“第三代半導體前沿趨勢研討會”。 目前，最新議程出爐！會議匯集華燦光電、英諾賽科、納設智能、國星光電、天科合達、芯聚能、Wolfspeed、爍科晶體、AIXTRON、泰科天潤、珠海鎵未來、三菱電機、天域...  [詳內文]

2023年全球IC設計產業(yè)綜整研析

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 01 日 17:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2023年第一季Top10 IC設計廠商營收表現(xiàn)皆走弱，第一～三名排名出現(xiàn)變動。 Broadcom超車NVIDIA奪下第二名位置，不過Broadcom與NVIDIA尚未公布營收，此處采用財測數(shù)字，且差距極小，因此實際排名狀況或有不同，其他排名則略有變動。 由于整體供應鏈庫存持續(xù)修...  [詳內文]

碳化硅與氮化鎵，誰擁有更廣闊的星辰大海

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 31 日 17:23 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
當下，低碳化和數(shù)字化齊頭并進的發(fā)展，帶來了萬物互聯(lián)、能源效率、未來出行等多重變革。而在這個突飛猛進的過程中，第三代半導體則發(fā)揮著重要作用。 同屬第三代半導體，碳化硅和氮化鎵近年來不斷發(fā)光發(fā)熱，成為半導體領域的“流量明星”。那么，這兩種材料，誰的市場前景更大呢？ 碳化硅和氮化鎵：在...  [詳內文]

【會議預告】國星光電：GaN的SIP封裝及其應用

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 31 日 17:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN
SIP（系統(tǒng)級封裝）技術是通過將多個裸片及無源器件整合在單個封裝體內的集成電路封裝技術。在后摩爾時代，SiP技術可以幫助芯片成品增加集成度、減小體積并降低功耗。 國星光電已開發(fā)出多款使用SIP封裝的GaN-IC產品，可在LED驅動電源、LED顯示器驅動電源、墻體插座快充、移動排插...  [詳內文]

第一季全球新能源車銷量達265.6萬輛，特斯拉市占回升

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 31 日 17:21 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2023年第一季全球新能源車（NEV；包含純電動車、插電混合式電動車、氫燃料電池車）銷售總量為265.6萬輛，年增28%。其中純電動車（BEV）銷量為194.2萬輛，年成長26%；插電混合式電動車（PHEV）銷量71.1萬輛，年增34%。 ...  [詳內文]

華燦光電完成650V GaN產品小批量出樣和測試

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 30 日 17:25 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，華燦光電在接受機構調研時稱，公司目前已完成了650V GaN產品的小批量出樣和測試，650V GaN MOSFET出樣，性能可符合高頻AC/DC PD 65W快充應用。 華燦光電表示，2022年，在自有外延方面，已啟動6英寸藍寶石襯底研發(fā)，初步完成650VGaN on Si...  [詳內文]

全球InP產業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀淺析

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 29 日 17:26 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
作為化合物半導體材料，InP（磷化銦）半導體元件具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強、導熱性好、光電轉換效率高、禁帶寬度較高等特性，在光通信、數(shù)據(jù)中心、新一代顯示、人工智能、無人駕駛、航天等領域具有廣闊的應用前景。 目前InP材料主要用于制造光子元件和微波射頻元件，其在光子領域具...  [詳內文]

【會議預告】AIXTRON：寬禁帶半導體器件量產解決方案

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 26 日 17:31 |
| 分類: 氮化鎵GaN
隨著新能源汽車、5G、快充等產業(yè)高速發(fā)展，以碳化硅，氮化鎵為首的寬禁帶半導體下游領域需求不斷增加。加之國內外政策的推動，寬禁帶半導體產業(yè)正在爆發(fā)巨大的發(fā)展?jié)摿Α?市場的不斷擴大，各大廠商開始“排兵布陣”，形成量產，設備產業(yè)迎來了熱潮， 寬禁帶半導體器件量產成為了產業(yè)聚焦的問題。 ...  [詳內文]

多應用驅動！SiC、GaN等第三代半導體未來可期

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 24 日 17:14 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
關于第三代半導體的疑慮，這場研討會都有答案。 第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點，先天性能優(yōu)越，是新能源汽車、5G、光伏等領域的“香餑餑”。然而，現(xiàn)實與理想之間尚有較大差距，我們對第三代半導體的發(fā)展仍存疑慮。 為進一步剖析第三代半導體的現(xiàn)...  [詳內文]

發(fā)力SiC、GaN，這兩大美企又有新動作

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 24 日 17:09 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，據(jù)外媒報道，Axcelis向歐洲、亞洲客戶交付了多臺Purion H200 SiC Power Serie離子注入系統(tǒng)；Transphorm與美國國家安全技術加速機構簽訂協(xié)議。 1、Axcelis交付數(shù)臺離子注入機 美國離子注入設備制造商Axcelis公司日前宣布，向歐洲、...  [詳內文]