文章分類： 氮化鎵GaN

涉及顯示、三代半等，兩部門公布2022年度重點產品方向

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 01 日 17:14 |
| 分類: 氮化鎵GaN
1月30日消息，工業(yè)和信息化部、國務院國資委近日印發(fā)通知，公布2022年度重點產品、工藝“一條龍”應用示范方向和推進機構名單，涉及顯示、第三代半導體等相關領域。 其中，顯示器件曝光機重點方向，參與單位包括上海微電子裝備（集團）股份有限公司、京東方科技集團股份有限公司、TCL華星...  [詳內文]

百思特達氮化鎵項目進入產品試生產階段

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 30 日 9:57 |
| 分類: 氮化鎵GaN
日前，遼寧百思特達半導體科技有限公司（以下簡稱“百思特達”）氮化鎵半導體芯片項目已進入產品試生產階段。 據此前披露消息，項目于2019年11月開工建設，總投資3億元，占地面積125畝，總建筑面積5萬余平方米。其中包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產車間、1棟芯片封裝及應用產品生產制造車...  [詳內文]

多重應用齊發(fā)，氮化鎵功率半導體迎向成長轉折點

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 28 日 10:43 |
| 分類: 氮化鎵GaN
氮化鎵功率半導體領導者GaN Systems從地緣政治下全球半導體產業(yè)鏈動態(tài)、能源轉換效率革新等面向，展望2023年全球功率半導體產業(yè)發(fā)展態(tài)勢。電汽化 (Electrification) 、數字化 (Digitalization)及凈零永續(xù) (Sustainability) 三大...  [詳內文]

2022年度中國半導體十大研究進展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 20 日 11:14 |
| 分類: 氮化鎵GaN
1.拓撲腔面發(fā)射激光器 中科院物理研究所陸凌團隊將原創(chuàng)的拓撲光腔應用于半導體激光芯片，研制出拓撲腔面發(fā)射激光器[topological-cavity surface-emitting laser (TCSEL)]，得到了遠超主流商用產品的單模功率和光束質量。TCSEL的發(fā)明有望...  [詳內文]

氧化鎵：10年后將直接與碳化硅競爭

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 19 日 14:09 |
| 分類: 氮化鎵GaN
以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導體材料，憑借耐高溫、抗高壓、開關速度快、效率高、節(jié)能、壽命長等特點，近年來被國內外相關企業(yè)持續(xù)關注和布局，相信這股熱潮將會一路延續(xù)到2023年。 然而，在寬禁帶半導體材料發(fā)展勢如破竹的同時，學術界和科研界不約而同地展望下一代半...  [詳內文]

美國國家儀器NI考慮出售

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 17 日 17:06 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據外媒報道，美國國家儀器有限公司NI（National Instruments Corp.）正在考慮出售。 圖片來源：拍信網正版圖庫 根據1月13日的聲明顯示，NI已經請專家對一系列方案進行評估，也包含了解潛在收購方及其他交易伙伴的興趣，其中，部分人已經接洽了NI。 除此之外，...  [詳內文]

投資90億新臺幣！臺亞積極布局氮化鎵

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 16 日 16:17 |
| 分類: 氮化鎵GaN
1月13日，投資中國臺灣事務所召開“歡迎臺商回臺投資行動方案”聯(lián)審會議，臺亞半導體斥資近90億臺幣擴大投資臺灣的方案獲通過。 根據投資方案，臺亞半導體將在竹科廠房興建無塵室，并增設智慧化產線、導入生產監(jiān)控數位系統(tǒng)。此舉是為了深耕氮化鎵化合物半導體的研發(fā)與制造，并開拓全球市場。預計...  [詳內文]

湖南三安：SiC出貨量破億，訂單超65億

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 13 日 16:49 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據湖南三安官方微信公眾號消息，2022年，湖南三安車規(guī)級和工業(yè)級SiC功率半導體出貨突破1億顆，新進訂單及長期供應協(xié)議累計金額超65億。從產品應用來看，湖南三安的SiC產品已實現在汽車、工業(yè)、光伏等多個領域應用。 新能源汽車方面，湖南三安的SiC二極管產品已有7款產品通過AE...  [詳內文]

Odyssey宣布Q1開始送樣垂直GaN功率器件

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 11 日 17:26 |
| 分類: 氮化鎵GaN
2022年9月，美國GaN高壓垂直功率開關器件供應商Odyssey Semiconductor Technologies Inc宣布完成1200V垂直GaN功率器件的開發(fā)目標，計劃在第四季度開展樣品開發(fā)等工作。 到了1月9日，Odyssey宣布650V、1200V GaN垂直產品...  [詳內文]

年產10萬片，遼寧將增加10條氮化鎵外延生產線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 10 日 17:26 |
| 分類: 氮化鎵GaN
日前，遼寧百思特達半導體科技有限公司（以下簡稱“百思特達”）氮化鎵半導體芯片項目傳來新進展：該項目已進入產品試生產階段。 據此前披露消息，項目于2019年11月開工建設，總投資3億元，占地面積125畝，總建筑面積5萬余平方米。其中包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產車間、1棟芯片封裝及...  [詳內文]