文章分類： 氮化鎵GaN

EPC公司攜手世界先進，發(fā)力8英寸GaN功率半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 07 日 17:20 |
| 分類: 氮化鎵GaN
12月6日，GaN功率FETs及功率IC提供商EPC公司宣布與特殊芯片代工廠世界先進（VIS）簽訂了一項GaN功率半導(dǎo)體多年生產(chǎn)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，EPC公司將從2023年初開始使用世界先進的8英寸晶圓制造平臺，生產(chǎn)高性能GaN晶體管和GaN功率IC。 據(jù)介紹，EPC的GaN器件...  [詳內(nèi)文]

搶攻GaN功率器件市場，GaN Systems成立深圳辦事處

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 17:23 |
| 分類: 氮化鎵GaN
今日，GaN Systems 氮化鎵系統(tǒng)公司宣布成立深圳辦事處，與中國臺灣辦事處共享設(shè)計研發(fā)資源，為亞太地區(qū)客戶提供最及時且符合市場需求的GaN氮化鎵解決方案，包括65W/100W/140W/250W的手機及筆電充電器參考設(shè)計，高功率數(shù)據(jù)中心及車用PFC、DC/DC轉(zhuǎn)換器及逆變器...  [詳內(nèi)文]

中鎵半導(dǎo)體聯(lián)合北京大學(xué)在GaN襯底研發(fā)領(lǐng)域獲突破

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:51 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，中鎵半導(dǎo)體與北京大學(xué)、波蘭國家高壓實驗室開展了合作，使用乙烯氣源制備出了世界最高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底。 實驗使用乙烯氣源制備了半絕緣GaN襯底，并對制備得到的GaN材料進行了表征，證明了乙烯氣源的摻雜效率比傳統(tǒng)甲烷氣源高40倍。在相同測試溫度下比較了現(xiàn)有報道的半絕...  [詳內(nèi)文]

長光華芯聯(lián)合中科院蘇州納米所共建“氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室”

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:49 |
| 分類: 氮化鎵GaN
11月29日，蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院與中科院蘇州納米所“氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室”在蘇州長光華芯正式揭牌成立。 氮化鎵是第三代半導(dǎo)體中具有代表性的材料體系，氮化鎵藍綠光激光器未來在激光顯示、有色金屬加工等諸多領(lǐng)域都有巨大的應(yīng)用優(yōu)勢以及不可替代的作用?；诘壍乃{綠光激光器是第三...  [詳內(nèi)文]

國際GaN器件廠Transphorm在深圳設(shè)立辦事處

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:45 |
| 分類: 氮化鎵GaN
納微半導(dǎo)體之后，美國GaN FETs高壓電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm也在深圳設(shè)立了辦事處，全球GaN器件廠商在中國市場的角逐日趨激烈。 昨（1）日，Transphorm宣布，已在中國深圳開設(shè)辦事處/GaN應(yīng)用實驗室，深圳辦事處的團隊將負責(zé)提升本土客戶支持、銷售及市場營銷...  [詳內(nèi)文]

化合物半導(dǎo)體企業(yè)固立得獲5000萬元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:36 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，江蘇固立得精密光電有限公司（以下簡稱“固立得”）宣布獲得5000萬元A+輪融資。 據(jù)悉，本輪融資由福滿鑫資本、鑫濤資本領(lǐng)投，常州本土知名投資 人和企業(yè)家跟投。融資資金將用于芯片產(chǎn)能的擴大，以滿足更大的市場需求。 資料顯示，固立得成立于2005年，是一家專業(yè)從事第三代化合物（...  [詳內(nèi)文]