文章分類： 氮化鎵GaN

55所牽頭承擔(dān)的“寬帶射頻功率放大器”項(xiàng)目成功獲批

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 19 日 17:24 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，國家科技部公布了2022年國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃立項(xiàng)資助名單。55所牽頭承擔(dān)的“寬帶射頻功率放大器”項(xiàng)目成功獲批。 “寬帶射頻功率放大器”項(xiàng)目基于第三代半導(dǎo)體GaN開展超寬帶射頻功率管的設(shè)計(jì)與制造研究，計(jì)劃研究一套寬頻帶射頻功率放大器，實(shí)現(xiàn)寬帶射頻功放在超高場磁共振的工程應(yīng)用，為...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科出貨量破億

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 16 日 16:41 |
| 分類: 氮化鎵GaN
據(jù)外媒報(bào)道，英諾賽科透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出貨量已突破1億。 據(jù)化合物半導(dǎo)體市場了解，英諾賽科的8英寸晶圓產(chǎn)線自2019年開始大規(guī)模生產(chǎn)，并于2021年成為全球首家實(shí)現(xiàn)8英寸硅基GaN量產(chǎn)的企業(yè)，產(chǎn)能足以支撐全球市場對GaN FETs的強(qiáng)勁需求。2022年，英諾賽...  [詳內(nèi)文]

銘鎵半導(dǎo)體在4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)領(lǐng)域獲突破

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 08 日 17:09 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱：銘鎵半導(dǎo)體）使用導(dǎo)模法成功制備了高質(zhì)量4英寸（001）主面氧化鎵（β-Ga2O3）單晶，完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，并且進(jìn)行了多次重復(fù)性實(shí)驗(yàn)，成為國內(nèi)首個掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。 銘...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)氮化鎵外延龍頭晶湛半導(dǎo)體再獲數(shù)億元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 08 日 17:05 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元C輪融資，這是繼今年3月完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資以來的又一輪融資。 本輪增資由蔚來資本、美團(tuán)龍珠領(lǐng)投，華興資本旗下華興新經(jīng)濟(jì)基金、欣柯資本等跟投，老股東歌爾微電子、三七互娛等繼續(xù)加碼。 晶湛半導(dǎo)體創(chuàng)始人、總裁程凱博士表示...  [詳內(nèi)文]

EPC公司攜手世界先進(jìn)，發(fā)力8英寸GaN功率半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 07 日 17:20 |
| 分類: 氮化鎵GaN
12月6日，GaN功率FETs及功率IC提供商EPC公司宣布與特殊芯片代工廠世界先進(jìn)（VIS）簽訂了一項(xiàng)GaN功率半導(dǎo)體多年生產(chǎn)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，EPC公司將從2023年初開始使用世界先進(jìn)的8英寸晶圓制造平臺，生產(chǎn)高性能GaN晶體管和GaN功率IC。 據(jù)介紹，EPC的GaN器件...  [詳內(nèi)文]

搶攻GaN功率器件市場，GaN Systems成立深圳辦事處

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 17:23 |
| 分類: 氮化鎵GaN
今日，GaN Systems 氮化鎵系統(tǒng)公司宣布成立深圳辦事處，與中國臺灣辦事處共享設(shè)計(jì)研發(fā)資源，為亞太地區(qū)客戶提供最及時且符合市場需求的GaN氮化鎵解決方案，包括65W/100W/140W/250W的手機(jī)及筆電充電器參考設(shè)計(jì)，高功率數(shù)據(jù)中心及車用PFC、DC/DC轉(zhuǎn)換器及逆變器...  [詳內(nèi)文]

中鎵半導(dǎo)體聯(lián)合北京大學(xué)在GaN襯底研發(fā)領(lǐng)域獲突破

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:51 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，中鎵半導(dǎo)體與北京大學(xué)、波蘭國家高壓實(shí)驗(yàn)室開展了合作，使用乙烯氣源制備出了世界最高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底。 實(shí)驗(yàn)使用乙烯氣源制備了半絕緣GaN襯底，并對制備得到的GaN材料進(jìn)行了表征，證明了乙烯氣源的摻雜效率比傳統(tǒng)甲烷氣源高40倍。在相同測試溫度下比較了現(xiàn)有報(bào)道的半絕...  [詳內(nèi)文]

長光華芯聯(lián)合中科院蘇州納米所共建“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:49 |
| 分類: 氮化鎵GaN
11月29日，蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院與中科院蘇州納米所“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”在蘇州長光華芯正式揭牌成立。 氮化鎵是第三代半導(dǎo)體中具有代表性的材料體系，氮化鎵藍(lán)綠光激光器未來在激光顯示、有色金屬加工等諸多領(lǐng)域都有巨大的應(yīng)用優(yōu)勢以及不可替代的作用?；诘壍乃{(lán)綠光激光器是第三...  [詳內(nèi)文]

國際GaN器件廠Transphorm在深圳設(shè)立辦事處

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:45 |
| 分類: 氮化鎵GaN
納微半導(dǎo)體之后，美國GaN FETs高壓電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm也在深圳設(shè)立了辦事處，全球GaN器件廠商在中國市場的角逐日趨激烈。 昨（1）日，Transphorm宣布，已在中國深圳開設(shè)辦事處/GaN應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，深圳辦事處的團(tuán)隊(duì)將負(fù)責(zé)提升本土客戶支持、銷售及市場營銷...  [詳內(nèi)文]

化合物半導(dǎo)體企業(yè)固立得獲5000萬元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:36 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，江蘇固立得精密光電有限公司（以下簡稱“固立得”）宣布獲得5000萬元A+輪融資。 據(jù)悉，本輪融資由福滿鑫資本、鑫濤資本領(lǐng)投，常州本土知名投資 人和企業(yè)家跟投。融資資金將用于芯片產(chǎn)能的擴(kuò)大，以滿足更大的市場需求。 資料顯示，固立得成立于2005年，是一家專業(yè)從事第三代化合物（...  [詳內(nèi)文]