文章分類(lèi)： 氮化鎵GaN

政府工作報(bào)告提及具身智能，氮化鎵大有可為

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 06 日 15:01 |
| 分類(lèi): 產(chǎn)業(yè) , 射頻 , 氮化鎵GaN
3月5日，國(guó)務(wù)院總理李強(qiáng)作政府工作報(bào)告，提出因地制宜發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力，建立未來(lái)產(chǎn)業(yè)投入增長(zhǎng)機(jī)制，培育生物制造、量子科技、具身智能、6G等未來(lái)產(chǎn)業(yè)。 資料顯示，具身智能（Embodied Intelligence）是指智能系統(tǒng)通過(guò)與環(huán)境的互動(dòng)，利用身體的感知和運(yùn)動(dòng)能力來(lái)實(shí)現(xiàn)學(xué)習(xí)和推理...  [詳內(nèi)文]

忱芯儀器（廣州）有限公司揭牌營(yíng)業(yè)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 03 日 11:33 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月27日，忱芯儀器（廣州）有限公司在廣州南沙留學(xué)創(chuàng)業(yè)園區(qū)正式揭牌營(yíng)業(yè)。 在2月28日閉幕的南沙兩會(huì)上，區(qū)政府工作報(bào)告顯示，2024年南沙半導(dǎo)體與集成電路規(guī)上企業(yè)產(chǎn)值增長(zhǎng)33.8%，而“做實(shí)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)”則是2025年的重點(diǎn)工作之一。檢驗(yàn)檢測(cè)設(shè)備這一核心環(huán)節(jié)的落地，意味...  [詳內(nèi)文]

安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠正式通線

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 28 日 14:33 | | 分類(lèi): 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
證券時(shí)報(bào)消息，2月27日，三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠正式通線。 隨后，“意法半導(dǎo)體中國(guó)”官微發(fā)文確認(rèn)了該消息，并表示這一里程碑標(biāo)志著意法半導(dǎo)體和三安正朝著于2025年年底前實(shí)現(xiàn)在中國(guó)本地生產(chǎn)8英寸碳化硅這一目標(biāo)穩(wěn)步邁進(jìn)，屆時(shí)將更好地滿足中國(guó)新能源...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵收入創(chuàng)歷史新高，這家廠商最新財(cái)報(bào)公布

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 28 日 14:28 |
| 分類(lèi): 報(bào)告 , 數(shù)據(jù) , 氮化鎵GaN
近日，納微半導(dǎo)體公布了截至 2024 年 12 月 31 日的未經(jīng)審計(jì)的第四季度及全年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。 納微半導(dǎo)體第四季度總收入為 1,800 萬(wàn)美元，較 2023 年同期的 2,610 萬(wàn)美元和第三季度的 2,170 萬(wàn)美元有所下降。 2024 年納微半導(dǎo)體總收入達(dá) 8,330 萬(wàn)美...  [詳內(nèi)文]

采用氮化鎵，中科半導(dǎo)體發(fā)布首顆具身機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 28 日 14:25 |
| 分類(lèi): 射頻 , 氮化鎵GaN
近期，中科半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)推出首顆基于氮化鎵（GaN）可編程具身機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片。 芯片采用SIP封裝技術(shù)，內(nèi)置硬件加速引擎、高速接口、PWM信號(hào)陣列可編程單元及邊緣圖像處理和各類(lèi)傳感器及生物信息采集的高速接口。 應(yīng)用領(lǐng)域 該芯片主要應(yīng)用于多關(guān)節(jié)具身機(jī)器人及智能裝備領(lǐng)域，根據(jù)推理大模...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成、國(guó)博電子發(fā)布最新財(cái)報(bào)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 27 日 11:10 | | 分類(lèi): 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新發(fā)展的浪潮中，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，正逐漸成為行業(yè)焦點(diǎn)。近期，芯聯(lián)集成與南京國(guó)博電子發(fā)布的最新財(cái)報(bào)，芯聯(lián)集成在碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)上實(shí)現(xiàn)高速增長(zhǎng)，營(yíng)收大幅提升且減虧明顯；南京國(guó)博電子雖業(yè)績(jī)承壓，但在氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)方...  [詳內(nèi)文]

英飛凌預(yù)測(cè)2025年GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用趨勢(shì)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 27 日 10:16 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN
近期，英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導(dǎo)體預(yù)測(cè)報(bào)告》，針對(duì)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體在消費(fèi)電子、儲(chǔ)能、移動(dòng)出行、電信基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域的應(yīng)用以及未來(lái)前景展望做出了詳細(xì)解讀。 英飛凌指出，氮化鎵功率半導(dǎo)體正處于高速增長(zhǎng)軌道，并在多個(gè)行業(yè)逐步邁向關(guān)鍵拐點(diǎn)。目前消費(fèi)類(lèi)充電器和適配器已率先...  [詳內(nèi)文]

珂瑪科技：碳化硅等先進(jìn)材料生產(chǎn)基地項(xiàng)目將于2025年建成投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 21 日 15:55 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，珂瑪科技在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司先進(jìn)陶瓷材料零部件在泛半導(dǎo)體等多個(gè)下游領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，客戶需求增長(zhǎng)迅速，訂單資源充足。公司位于蘇州的募投項(xiàng)目“先進(jìn)材料生產(chǎn)基地項(xiàng)目”將于本年建成投產(chǎn)，預(yù)計(jì)投產(chǎn)后將大幅度增加模塊化產(chǎn)品的產(chǎn)能。 資料顯示，珂瑪科技于2024年8月16日登陸深...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體設(shè)備廠商思銳智能擬A股IPO

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 21 日 11:09 | | 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月19日，青島思銳智能科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“思銳智能”）擬沖擊A股IPO的消息引發(fā)市場(chǎng)廣泛關(guān)注。 官網(wǎng)顯示，思銳智能成立于2018年，總部位于青島，在北京、上海設(shè)有研發(fā)中心。公司主要聚焦關(guān)鍵半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，提供具有自主可控的核心關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)項(xiàng)目落地成都高新區(qū)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 21 日 11:04 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
成都高新區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)局官微消息，2月18日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微公司”）與成都高新區(qū)簽訂投資合作協(xié)議。 中微公司將設(shè)立全資子公司——中微半導(dǎo)體設(shè)備（四川）有限公司，專(zhuān)注于高端邏輯及存儲(chǔ)芯片相關(guān)設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)，涵蓋化學(xué)氣相沉積設(shè)備、原子層沉積設(shè)備及...  [詳內(nèi)文]