9月27日，中國(guó)證監(jiān)會(huì)網(wǎng)站披露關(guān)于蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱“華太電子”）首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報(bào)告。
報(bào)告顯示，2024年9月13日，華太電子與華泰聯(lián)合證券簽署了上市輔導(dǎo)協(xié)議。
資料顯示，華太電子成立于2010年3月，是一家擁有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈多環(huán)節(jié)底層核心技術(shù)、多領(lǐng)域布局協(xié)同發(fā)展的平臺(tái)型半導(dǎo)體公司。公司主要從事射頻系列產(chǎn)品、功率系列產(chǎn)品、高端散熱材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并提供大功率封測(cè)業(yè)務(wù)，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于通信基站、光伏發(fā)電與儲(chǔ)能、半導(dǎo)體裝備、智能終端、新能源汽車、工業(yè)控制等大功率場(chǎng)景。
產(chǎn)品方面，在射頻領(lǐng)域，華太電子推出了LDMOS MMIC、大功率分立器件、對(duì)講機(jī)芯片、ISM以及GaAs產(chǎn)品。其中，大功率分立器件基于公司自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的28V、50V LDMOS和GaN工藝平臺(tái)開發(fā)，峰值功率覆蓋20W至1000W，工作頻率范圍從10MHz至6GHz。GaAs產(chǎn)品則基于全國(guó)產(chǎn)GaAs工藝，自主設(shè)計(jì)，適合預(yù)驅(qū)動(dòng)或驅(qū)動(dòng)放大器應(yīng)用。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
在功率器件領(lǐng)域，華太電子擁有IGBT單管/模塊系列和SiC模塊系列。SiC模塊系列采用了公司自主研發(fā)和生產(chǎn)的SiC芯片，并通過(guò)全自動(dòng)化模塊封測(cè)線生產(chǎn)，具備壓銀燒結(jié)技術(shù)，確保了良好的散熱性能和可靠性。
融資方面，華太電子目前已完成4輪融資，但具體金額尚未對(duì)外公布。
值得注意的是，這并非華太電子首次進(jìn)行IPO輔導(dǎo)備案。
早在2022年12月19日，中國(guó)證監(jiān)會(huì)網(wǎng)站就曾披露過(guò)華泰聯(lián)合證券關(guān)于華太電子的首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報(bào)告。然而，此后公司并未更新輔導(dǎo)備案情況。
本次輔導(dǎo)備案標(biāo)志著華太電子在時(shí)隔近一年半后，再次啟動(dòng)上市輔導(dǎo)備案流程。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。