總投資10億元,百識電子第三代半導(dǎo)體企業(yè)項目落地?fù)P州

作者 | 發(fā)布日期 2022 年 12 月 06 日 14:43 | 分類 碳化硅SiC

11月30日,南京百識電子科技有限公司(以下簡稱“百識電子”)二期項目簽約儀式在揚州市江都區(qū)舉行。

江都經(jīng)濟開發(fā)區(qū)消息稱,百識電子項目分二期建設(shè),總投資10億元,其中一期投資總額約6億元,產(chǎn)能15萬片。

圖片來源:江都經(jīng)濟開發(fā)區(qū)

成立僅三年,百識電子融資不斷,擴產(chǎn)不斷。據(jù)不完全統(tǒng)計,目前,公司共完成4輪融資,融資總額超4.5億元;共建設(shè)三個項目,合計48億元。

2019年6月,百識半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體項目正式落戶南京浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)。

項目總投資10億元,計劃在浦口經(jīng)開區(qū)投資建設(shè)研發(fā)中心及生產(chǎn)線,整合海外創(chuàng)新技術(shù)與國內(nèi)產(chǎn)業(yè)資源,對第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵外延片設(shè)計和管件制程等進行研發(fā),產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于信息、新能源發(fā)電、新能源汽車、無人駕駛、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。計劃項目投產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)值7億元。

此后僅兩月,百識電子成立。

公司主要生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片,包含GaN on Silicon、GaN on SiC以及SiC on SiC,針對高壓、高功率以及射頻微波等應(yīng)用市場提供碳化硅及氮化鎵外延代工服務(wù),產(chǎn)品主要應(yīng)用于馬達逆變器、太陽能光伏逆變器、動車OBC及充電樁、行動裝置電源適配器、5G基站PA等。

融資方面,2019年12月,百識電子宣布完成5000萬元天使輪融資,專注第三代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),由和利資本領(lǐng)投,團隊跟投。

2020年9月,百識電子宣布完成Pre-A輪融資,融資總額過億元,投資機構(gòu)包括和利 資本、臺達電等,融資主要將用于建廠及生產(chǎn)設(shè)備購入。

2022年3月,百識電子宣布完成A輪融資,融資總額過3億元人民幣,將主要用于擴產(chǎn)及購入生產(chǎn)設(shè)備。本輪融資由杭實資管領(lǐng)投,毅達資本、華映資本、阿晨科技、科泓投資、涌鏵投資、GRC富華資本、福熙投資等知名投資方跟投,老股東亞昌投資、金浦投資繼續(xù)加碼。

項目建設(shè)方面,2020年9月,百識第三代半導(dǎo)體6英寸晶圓制造項目成功簽約南京浦口。

項目由百識電子建設(shè),總投資30億元,擬用地80畝,建立第三代半導(dǎo)體外延片+器件專業(yè)代工,可以承接國內(nèi)外IDM與design house的委托制作訂單,串接國內(nèi)上下游產(chǎn)業(yè)鏈,達到第三代半導(dǎo)體芯片國造的目標(biāo),產(chǎn)品主要應(yīng)用于5G基站、電動車、雷達、快速充電器等。

2022年1月,百識電子半導(dǎo)體項目在揚州江都開發(fā)區(qū)簽約,計劃投資8億元,主要生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體外延片。(文:集邦化合物半導(dǎo)體)

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