近日，據(jù)消息，南砂晶圓完成B+輪融資，由渾璞投資領(lǐng)投。
廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司成立于2018年9月，是一家從事碳化硅單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售三位一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，公司產(chǎn)品以6英寸半絕緣和N型碳化硅襯底為主。今年2月，廣州市發(fā)改委公布了“廣州市2022年重點(diǎn)項(xiàng)目計(jì)劃”，南砂晶圓碳化硅項(xiàng)目就在其中。
據(jù)悉，南砂晶圓碳化硅單晶材料與晶片生產(chǎn)項(xiàng)目總投資9億元，建筑面積9萬(wàn)平方米，建設(shè)一棟科研辦公樓、一棟中試廠房、三棟生產(chǎn)廠房，繼續(xù)擴(kuò)大碳化硅晶體生長(zhǎng)和加工規(guī)模，同時(shí)建設(shè)外延片加工生產(chǎn)線。
達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬(wàn)片，年產(chǎn)值將達(dá)13.5億元。
2021年9月，項(xiàng)目1#、2#、3#、4#廠房主體結(jié)構(gòu)全面封頂。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
值得注意的是，今年9月，由徐現(xiàn)剛教授領(lǐng)銜的 山東大學(xué)晶體材料所和南砂晶圓團(tuán)隊(duì)采用物理氣相傳輸法（PVT）擴(kuò)徑獲得了8英寸4H-SiC籽晶，用于8英寸導(dǎo)電型4H-SiC晶體生長(zhǎng)，并加工出厚度520 μm的8英寸4H-SiC襯底。
碳化硅襯底是制造碳化硅器件最基礎(chǔ)的材料，也是發(fā)展SiC的關(guān)鍵，沒(méi)有碳化硅襯底就無(wú)法制造出碳化硅器件。目前，以襯底和外延為主的碳化硅材料占據(jù)了整個(gè)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈近70%的價(jià)值量，其中襯底價(jià)值量占比接近50%。
目前，國(guó)內(nèi)SiC 襯底主流規(guī)格分別為 4 英寸和 6 英寸，部分廠商如晶盛機(jī)電、爍科晶體、中科院物理所等已成功研發(fā)了8英寸SiC單晶。
有業(yè)內(nèi)人士稱，碳化硅襯底的成本和產(chǎn)量將長(zhǎng)期成為第三代半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵競(jìng)爭(zhēng)核心。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理）
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