4月8日，士蘭微發(fā)布公告，披露了士蘭微碳化硅（SiC）項(xiàng)目的最新進(jìn)展。在SiC芯片技術(shù)研發(fā)與量產(chǎn)方面均取得顯著成果，產(chǎn)能建設(shè)與技術(shù)突破齊頭并進(jìn)。
source：士蘭微
“士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項(xiàng)目：產(chǎn)能釋放
截至目前，士蘭明鎵已形成月產(chǎn)9,000片6吋SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力。基于士蘭微自主研發(fā)的Ⅱ代 SiC-MOSFET 芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊在4家國內(nèi)汽車廠家累計(jì)出貨量5萬只，隨著6吋SiC芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能釋放，已實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)和交付。
目前，士蘭微已完成第Ⅳ代平面柵SiC-MOSFET 技術(shù)的開發(fā)，性能指標(biāo)接近溝槽柵SiC器件的水平。第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送客戶評測，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預(yù)計(jì)將于2025年上量。
“士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項(xiàng)目：實(shí)現(xiàn)通線
截至目前，士蘭集宏8吋SiC mini line已實(shí)現(xiàn)通線，士蘭微Ⅱ代SiC芯片已在8吋mini line上試流片成功，其參數(shù)與士蘭微6吋產(chǎn)品匹配，良品率明顯高于6吋。
士蘭集宏主廠房及其他建筑物已全面封頂，正在進(jìn)行凈化裝修，預(yù)計(jì)將在2025年4季度實(shí)現(xiàn)全面通線并試生產(chǎn)，以趕上2026年車用SiC市場的快速成長。
source：士蘭微
公開資料顯示，士蘭集宏項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后可滿足國內(nèi)40%以上的車規(guī)級SiC芯片需求，并帶動(dòng)上下游產(chǎn)業(yè)鏈集聚廈門，加速第三代半導(dǎo)體材料、設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程。
士蘭微的SiC突圍戰(zhàn)
士蘭微成立于1997年，總部坐落于杭州高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，聚焦集成電路芯片設(shè)計(jì)及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)。作為國內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，士蘭微已掌握多項(xiàng)核心技術(shù)，產(chǎn)品涵蓋功率半導(dǎo)體、傳感器、MCU和LED等多個(gè)領(lǐng)域。公司采用IDM模式，實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)到制造的全產(chǎn)業(yè)鏈整合。
士蘭微近年來在碳化硅（SiC）領(lǐng)域加速布局，不僅在產(chǎn)能上采取“雙線作戰(zhàn)”模式：6英寸上量，快速響應(yīng)市場需求；8英寸沖刺，瞄準(zhǔn)未來車規(guī)級芯片市場；還通過多輪增資優(yōu)化資本結(jié)構(gòu)，如將子公司“士蘭集宏”注冊資本增至42.1億元，與廈門半導(dǎo)體共同增資16億元擴(kuò)建士蘭集科等。
在業(yè)績上，根據(jù)2024年度業(yè)績預(yù)告，士蘭微2024年業(yè)績實(shí)現(xiàn)了同比扭虧為盈，預(yù)計(jì)2024年度實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤為1.5億元到1.9億元。
source：士蘭微
目前，士蘭微產(chǎn)品覆蓋汽車主驅(qū)模塊、光伏逆變器等高端領(lǐng)域，客戶包括比亞迪、匯川、吉利等頭部廠商。
從產(chǎn)能建設(shè)到技術(shù)突破，從產(chǎn)品矩陣到客戶體系，士蘭微的SiC突圍戰(zhàn)精準(zhǔn)發(fā)力，以創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)破局。隨著全球新能源汽車市場的持續(xù)爆發(fā)式增長以及光儲行業(yè)的蓬勃興起，士蘭微也迎來了新的發(fā)展機(jī)遇。
本次公告中士蘭微也進(jìn)一步表明，將加快實(shí)施“一體化”戰(zhàn)略，持續(xù)加大對模擬電路、功率半導(dǎo)體、MEMS 傳感器、包括 SiC、GaN在內(nèi)的第三代化合物半導(dǎo)體等方面的投入。（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）