Author Archives: florafeng

AI、機(jī)器人、氮化鎵等浪潮來(lái)襲，英飛凌四大新品亮劍
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 31 日 15:35 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月14日，英飛凌在2025英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)（ICIC 2025，以下同）上，就AI、機(jī)器人、邊緣計(jì)算、氮化鎵應(yīng)用等話題展開了深度探討，其首次在國(guó)內(nèi)展示了英飛凌的兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，引起行業(yè)諸多關(guān)注。 英飛凌...  [詳內(nèi)文]

安世半導(dǎo)體推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 10:52 | 分類 碳化硅SiC
近日，Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)戰(zhàn)略合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 10:41 | 分類 碳化硅SiC
近日，意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)在重慶安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠通線儀式后的“碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”上正式簽署產(chǎn)學(xué)研戰(zhàn)略合作協(xié)議。 雙方將在以下三方面展開產(chǎn)學(xué)研資源深度融合： 共建創(chuàng)新平臺(tái)：意法半導(dǎo)體在智能功率技術(shù)、寬禁帶帶隙半導(dǎo)體、汽車芯片、邊緣人工智能、傳感以及數(shù)字和混合信號(hào)技術(shù)等...  [詳內(nèi)文]

安徽格恩半導(dǎo)體申請(qǐng)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器專利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:07 | 分類 氮化鎵GaN
近日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器”的專利。 專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光元件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器。該氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導(dǎo)層、有源層、上...  [詳內(nèi)文]

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:02 | 分類 功率
近日，安森美推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。與使用第7代場(chǎng)截止（FS7）IGBT技術(shù)相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成獲聯(lián)合電子“卓越技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 17 日 10:42 | 分類 碳化硅SiC
近日，聯(lián)合電子2025年供應(yīng)商大會(huì)隆重舉行，芯聯(lián)集成作為聯(lián)合電子的重要供應(yīng)鏈合作伙伴出席此次大會(huì)。會(huì)上，芯聯(lián)集成控股子公司芯聯(lián)動(dòng)力，憑借高性能碳化硅（SiC）MOSFET等技術(shù)產(chǎn)品供應(yīng)，榮獲“2024年度供應(yīng)商卓越技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”。 作為一家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界的創(chuàng)新科技公司，芯聯(lián)集成致力于...  [詳內(nèi)文]

CGD官宣突破性技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 9:49 | 分類 氮化鎵GaN
近日，CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主驅(qū)逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)，目標(biāo)瞄準(zhǔn)規(guī)模超百億美元的電動(dòng)汽車市場(chǎng)。革命性的 Combo ICeGaN? 方案通過(guò)將智能化的ICeGaN? HEMT與傳統(tǒng)IGBT 組合并封裝于同...  [詳內(nèi)文]

東芝功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房竣工
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 9:46 | 分類 功率
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（東芝）近日在其位于日本西部兵庫(kù)縣姬路半導(dǎo)體工廠的車載功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房舉辦了竣工慶祝儀式。新廠房的產(chǎn)能將比2022財(cái)年的水平增加一倍以上，并將于2025財(cái)年上半年開始全面生產(chǎn)。 功率器件是提高各種電氣和電子設(shè)備能源效率的重要元件，在電力供應(yīng)和...  [詳內(nèi)文]

納微助力長(zhǎng)城電源打造超高功率密度模塊電源
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:16 | 分類 氮化鎵GaN
納微半導(dǎo)體宣布其搭載GaNSense?技術(shù)的GaNFast??氮化鎵功率芯片進(jìn)入長(zhǎng)城電源供應(yīng)鏈，成功助力其打造AI數(shù)據(jù)中心專用的超高功率密度2.5kW模塊電源。 AI的迅猛發(fā)展對(duì)數(shù)據(jù)中心提出了更高的算力要求，為了容納更多的GPUs進(jìn)行計(jì)算，400V獨(dú)立機(jī)柜的架構(gòu)將成為數(shù)據(jù)中心的全...  [詳內(nèi)文]

中微公司：刻蝕設(shè)備反應(yīng)臺(tái)全球出貨超5000臺(tái)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:12 | 分類 企業(yè)
3月12日，中微公司宣布其等離子體刻蝕設(shè)備反應(yīng)總臺(tái)數(shù)全球累計(jì)出貨超過(guò)5000臺(tái)，涉及CCP高能等離子體刻蝕機(jī)和ICP低能等離子體刻蝕機(jī)、單反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)器和雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)器共四種構(gòu)型的設(shè)備。 中微公司介紹，等離子體刻蝕機(jī)，是光刻機(jī)之外，最關(guān)鍵的、也是市場(chǎng)最大的微觀加工設(shè)備。由于微觀器件...  [詳內(nèi)文]