Author Archives: huang, Mia

2024 全球SiC Power Device市場分析報告
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 26 日 17:11 | 分類 報告
語系：中文/英文 丨 格式：PDF 丨 頁數(shù)：約70頁 出刊時間：2024年4月 一、概況 -全球SiC產(chǎn)業(yè)格局 -全球SiC供應鏈現(xiàn)狀 -全球SiC產(chǎn)業(yè)并購動態(tài) -全球主要SiC廠商業(yè)務布局 二、SiC Substrate市場分析 -SiC Substrate廠商分布 -Si...  [詳內(nèi)文]

16.8億，福建晶旭半導體濾波器項目5月封頂
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 24 日 14:05 | 分類 企業(yè)
4月22日，上杭縣融媒體中心發(fā)布消息稱，建設單位正搶抓施工黃金期科學統(tǒng)籌，穩(wěn)步推進福建晶旭半導體科技有限公司（下文簡稱“晶旭半導體”）二期項目建設。 source：上杭縣融媒體中心 據(jù)介紹，晶旭半導體二期項目總投資16.8億元，建設136畝工業(yè)廠區(qū)，將建成全球首條超寬禁帶半導體...  [詳內(nèi)文]

蔚華科積極搶進化合物半導體等檢測設備領域
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 23 日 17:03 | 分類 企業(yè)
半導體設備供應商蔚華科技于光學檢測領域取得突破，自2023年底推出非破壞性碳化硅（SiC）缺陷檢測系統(tǒng)，今年將積極搶進化合物半導體、功率半導體、Micro LED三大市場檢測設備領域。 蔚華總經(jīng)理楊燿州表示，在永續(xù)環(huán)保的浪潮下，具有高功率、高壓特性的化合物半導體已成為全球能源及電...  [詳內(nèi)文]

2.3億美元，羅姆與意法半導體擴大SiC晶圓供應合同
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 22 日 17:59 | 分類 企業(yè)
4月22日，羅姆與意法半導體（以下簡稱“ST”）宣布，羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH（以下簡稱“SiCrystal”）將擴大目前已持續(xù)多年的150mm（6英寸） SiC晶圓長期供應合同。 擴大后的合同約定未來數(shù)年向意法半導體供應在德國紐倫堡生產(chǎn)的SiC晶圓，預計合同期...  [詳內(nèi)文]

14.5億，13萬片，國產(chǎn)8英寸碳化硅襯底廠商斬獲大單
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 22 日 16:12 | 分類 功率
近日，世紀金芯與日本某客戶簽訂SiC襯底訂單。按照協(xié)議約定，世紀金芯將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸SiC襯底共13萬片，訂單價值約2億美元（折合人民幣約14.5億元）。 資料顯示，世紀金芯成立于2019年12月，致力于第三代半導體SiC功能材料研...  [詳內(nèi)文]

納微半導體進軍農(nóng)業(yè)市場
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 19 日 18:01 | 分類 企業(yè)
4月18日，納微宣布，印度公司Virtual Forest已采用其GaNFast功率集成電路(IC)技術，生產(chǎn)零排放、功率強勁的3馬力（2250W）太陽能灌溉泵。 據(jù)了解，Virtual Forest是印度的電子設計公司，專注于消費電子、流體運動和移動的電機控制和人機界面技術。 ...  [詳內(nèi)文]

江蘇GaN外延制造中心動工
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 19 日 17:59 | 分類 功率
張家港經(jīng)開區(qū)官微消息，4月18日上午，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設。 公開資料顯示，能華半導體采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si),藍寶石基GaN（GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN（GaN-o...  [詳內(nèi)文]

1個月3次，Axcelis SiC設備再次出貨
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 18 日 17:58 | 分類 企業(yè)
4月17日，半導體離子注入廠商Axcelis宣布向全球領先的碳化硅（SiC）功率器件芯片制造商交付多批Purion Power系統(tǒng)離子注入器系統(tǒng)。這些設備包括Purion H200 SiC大電流、Purion XE SiC高能和Purion M SiC中電流注入機，且均在第一季度...  [詳內(nèi)文]

推進碳化硅研發(fā)，院企開展合作
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 18 日 17:56 | 分類 功率
4月17日，賓夕法尼亞州立大學宣布，學校已和摩根先進材料公司（下文簡稱“摩根公司”）簽署了一份諒解備忘錄（MOU），以促進碳化硅（SiC）的研發(fā)。 source：賓夕法尼亞大學 該協(xié)議包括一項為期五年、耗資數(shù)百萬美元的新計劃。摩根公司承諾成為賓夕法尼亞州立大學最近發(fā)起的碳化硅創(chuàng)...  [詳內(nèi)文]

耗資1.3億元，阿肯色大學SiC研究制造中心封頂
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 17 日 17:55 | 分類 企業(yè)
4月17日，阿肯色大學宣布，其將于明日舉行多用戶碳化硅（Multi-User SiC）研究和制造中心的封頂儀式。 據(jù)了解，該SiC中心獲美國國家科學基金會（NSF）提供的1800萬美元（折合人民幣約1.3億元）資助和美國陸軍研究實驗室的額外支持，于2023年8月破土動工。 so...  [詳內(nèi)文]