張家港經(jīng)開區(qū)官微消息，4月18日上午，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設。
公開資料顯示，能華半導體采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si),藍寶石基GaN（GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN（GaN-on-SiC) 晶圓與器件的研發(fā)、設計、制造與銷售。能華的6英寸/8英寸GaN晶圓和功率器件涵蓋40V-1200V。
能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，規(guī)劃建設生產(chǎn)廠房及配套設施，總建筑面積約10000平方米，采用先進半導體外延、測試等工藝技術，購置MOCVD、XRD衍射儀、AFM原子力顯微鏡等設備，新建GaN外延片產(chǎn)線。項目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。該項目將對經(jīng)開區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)進行橫向擴能和縱向延伸，進一步增強在半導體領域的戰(zhàn)略布局。（集邦化合物半導體整理）
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