SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前路如何?

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 05 月 16 日 17:17 | 分類 產(chǎn)業(yè)

關(guān)于第三代半導(dǎo)體的疑慮,這場研討會都有答案。

第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn),先天性能優(yōu)越,是新能源汽車、5G、光伏等領(lǐng)域的“香餑餑”。然而,現(xiàn)實(shí)與理想之間尚有較大差距,我們對第三代半導(dǎo)體的發(fā)展仍存疑慮。

為進(jìn)一步剖析第三代半導(dǎo)體的現(xiàn)狀和未來。2023年6月15日TrendForce集邦咨詢特在深圳福田JW萬豪酒店舉辦“第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會”,邀全球知名的第三代半導(dǎo)體專家、院校代表、專業(yè)研究機(jī)構(gòu)、企業(yè)工程師等齊聚一堂,為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展建言獻(xiàn)策,共同促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和升級。

、