三安光電等8家碳化硅廠(chǎng)商2023年業(yè)績(jī)一覽

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 04 月 28 日 18:00 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)

近日,三安光電、華潤(rùn)微、東尼電子、中瓷電子等8家SiC相關(guān)廠(chǎng)商相繼發(fā)布了2023年年度報(bào)告。2023年,大部分廠(chǎng)商均實(shí)現(xiàn)盈利,其中,中瓷電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)收凈利雙雙增長(zhǎng)。

三安光電2023年?duì)I收140.53億,湖南三安SiC產(chǎn)能16000片/月

4月26日晚間,三安光電發(fā)布了2023年年度報(bào)告。2023年,三安光電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收140.53億元,同比增長(zhǎng)6.28%;歸母凈利潤(rùn)3.67億元,同比下滑46.50%,歸母扣非凈利潤(rùn)-10.88億元。

報(bào)告顯示,湖南三安產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于光伏、儲(chǔ)能、新能源汽車(chē)、充電樁等領(lǐng)域,已擁有SiC配套產(chǎn)能16000片/月,硅基氮化鎵產(chǎn)能2000片/月,合作意向及客戶(hù)超800家。

產(chǎn)品方面,2023年,湖南三安6英寸SiC襯底已實(shí)現(xiàn)國(guó)際客戶(hù)的批量出貨,8英寸襯底外延工藝調(diào)試完成并向重點(diǎn)海外客戶(hù)送樣驗(yàn)證。截至2023年末,二極管已推出適用于光伏領(lǐng)域的G5代系產(chǎn)品,累計(jì)出貨超2億顆。電動(dòng)汽車(chē)主驅(qū)用的車(chē)規(guī)級(jí)1200V/16mΩ SiC MOSFET攻克了可靠性問(wèn)題并通過(guò)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),已在重點(diǎn)新能源汽車(chē)客戶(hù)模塊驗(yàn)證中;工規(guī)級(jí)1700V/1Ω和1200V/32mΩ SiC MOSFET已在光伏及充電樁領(lǐng)域小規(guī)模出貨。

項(xiàng)目方面,湖南三安與理想汽車(chē)成立的合資公司蘇州斯科半導(dǎo)體進(jìn)入試生產(chǎn)階段,已實(shí)現(xiàn)全尺寸的手工全橋功率模塊樣件交付客戶(hù),工藝平臺(tái)正在持續(xù)優(yōu)化,預(yù)計(jì)2024年8月正式量產(chǎn)。

湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶設(shè)立的合資公司安意法,生產(chǎn)SiC外延、芯片獨(dú)家銷(xiāo)售給意法半導(dǎo)體。目前,該合資公司主廠(chǎng)房已封頂,正進(jìn)行內(nèi)部裝修、設(shè)備采購(gòu)、員工培訓(xùn)等開(kāi)工籌備工作,預(yù)計(jì)2024年配備產(chǎn)能8英寸8000-10000片/月,將于2024年底通線(xiàn),2025年逐步釋放產(chǎn)能。該合資公司規(guī)劃2028年達(dá)產(chǎn),達(dá)產(chǎn)后的產(chǎn)能為10000片/周。

為保證合資公司材料的需求,重慶三安(湖南三安全資子公司)將匹配生產(chǎn)SiC襯底產(chǎn)能供應(yīng)給合資公司安意法,預(yù)計(jì)該項(xiàng)目的投產(chǎn)進(jìn)度早于合資公司一個(gè)季度。

華潤(rùn)微2023年?duì)I收99億,SiC和GaN功率器件收入同比增長(zhǎng)135%

4月25日晚間,華潤(rùn)微發(fā)布了2023年年度報(bào)告。2023年,華潤(rùn)微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收99.01億元,同比下滑1.59%;歸母凈利潤(rùn)14.79億元,同比下滑43.48%,歸母扣非凈利潤(rùn)11.27億元,同比下滑49.97%。

報(bào)告期內(nèi),公司產(chǎn)品與方案板塊下游終端應(yīng)用主要圍繞四大領(lǐng)域,其中泛新能源領(lǐng)域(車(chē)類(lèi)及新能源)占比39%,消費(fèi)電子領(lǐng)域占比34%,工業(yè)設(shè)備占比16%,通信設(shè)備占比11%。

2023年,華潤(rùn)微SiC和GaN功率器件銷(xiāo)售收入同比增長(zhǎng)135%。其中,SiC JBS G2平臺(tái)已完成650V和1200V系列共計(jì)40余顆產(chǎn)品開(kāi)發(fā),覆蓋目前主流應(yīng)用需求,在多家光伏/充電樁等領(lǐng)域頭部客戶(hù)實(shí)現(xiàn)規(guī)模交付,同時(shí)功率密度水平達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先的SiC JBS G3 650V平臺(tái)完成開(kāi)發(fā),產(chǎn)品得到客戶(hù)認(rèn)可并進(jìn)入系列化。

2023年,華潤(rùn)微SiC MOS在新能源汽車(chē)OBC、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多個(gè)客戶(hù)批量出貨,在SiC產(chǎn)品銷(xiāo)售中的比例逐步提升至60%以上。其中G1平臺(tái)全系列量產(chǎn),G2平臺(tái)全系列出樣試產(chǎn)并通過(guò)多家客戶(hù)測(cè)試,進(jìn)入批量試產(chǎn)階段,車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOS和SiC模塊的研發(fā)工作進(jìn)展順利,多款產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)驗(yàn)證。目前公司SiC產(chǎn)線(xiàn)產(chǎn)能升級(jí)已完成,將滿(mǎn)足中長(zhǎng)期客戶(hù)需求。

東尼電子2023年?duì)I收18.36億,同比微降

4月26日晚間,東尼電子發(fā)布了2023年年度報(bào)告。2023年,東尼電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)收18.36億元,同比下降2.76%;歸母凈利潤(rùn)-6.07億元,同比下降868.95%;歸母扣非凈利潤(rùn)-6.30億元,同比下降1,821.85%。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因,東尼電子表示,2023年,其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)雖開(kāi)始批量供貨,營(yíng)收大幅增長(zhǎng),但受檢測(cè)設(shè)備更換等因素影響,東尼半導(dǎo)體未能完成SiC重大合同中2023年度產(chǎn)品交付計(jì)劃,量產(chǎn)爬坡階段產(chǎn)品良率偏低,生產(chǎn)成本高企,毛利情況不佳。審慎起見(jiàn),2023年度東尼半導(dǎo)體對(duì)其存貨、固定資產(chǎn)計(jì)提資產(chǎn)減值準(zhǔn)備合計(jì)5.86億元。

中瓷電子2023年?duì)I收凈利雙雙增長(zhǎng)

4月25日晚間,中瓷電子發(fā)布了2023年年度報(bào)告。2023年,中瓷電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)收26.76億元,同比增長(zhǎng)6.52%;歸母凈利潤(rùn)4.90億元,同比增長(zhǎng)7.11%;歸母扣非凈利潤(rùn)2.98億元,同比增長(zhǎng)149.94%。

2023年10月,中瓷電子完成重大資產(chǎn)重組并募集配套資金行為,成為擁有GaN通信基站射頻芯片與器件、SiC功率模塊及其應(yīng)用、電子陶瓷等核心業(yè)務(wù)能力的企業(yè)。重組后其業(yè)務(wù)分為兩大方面:第三代半導(dǎo)體器件及模塊,電子陶瓷材料及元件。

中瓷電子中低壓SiC功率產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源汽車(chē)、工業(yè)電源、新能源逆變器等領(lǐng)域,高壓SiC功率產(chǎn)品瞄準(zhǔn)智能電網(wǎng)、動(dòng)力機(jī)車(chē)、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)對(duì)硅基IGBT功率產(chǎn)品的覆蓋與替代。

聞泰科技2023年?duì)I收612.13億,半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入152.26億

4月22日晚間,聞泰科技發(fā)布了2023年年度報(bào)告。2023年,聞泰科技實(shí)現(xiàn)營(yíng)收612.13億元,同比增長(zhǎng)5.40%;歸母凈利潤(rùn)11.81億元,同比下降19.00%;歸母扣非凈利潤(rùn)11.27億元,同比下降28.58%。

2023年,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)收入52.26億元,同比下降4.85%;凈利潤(rùn)24.26億元,同比下降35.29%。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因,聞泰科技表示,受宏觀經(jīng)濟(jì)等因素影響,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)經(jīng)過(guò)兩年的強(qiáng)勁周期后,于2022年底增速放緩,2023年到2024年初仍然疲軟。其中,從行業(yè)來(lái)看,汽車(chē)領(lǐng)域包括電動(dòng)汽車(chē)仍然是其半導(dǎo)體收入來(lái)源的主要方向,來(lái)自該領(lǐng)域的收入占比為62.8%,同比增長(zhǎng)22.95%。第四季度,受全球經(jīng)濟(jì)影響,汽車(chē)領(lǐng)域半導(dǎo)體需求增速階段性放緩。從區(qū)域來(lái)看,其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入主要來(lái)自于海外,第四季度,歐洲、美洲地區(qū)半導(dǎo)體需求疲弱。

同時(shí),2023年聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)研發(fā)投入為16.34億元,同比增長(zhǎng)37.20%。

江豐電子2023年?duì)I收26.02億,同比增長(zhǎng)11.89%

4月24日晚間,江豐電子發(fā)布了2023年年度報(bào)告。2023年,江豐電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)收26.02億元,同比增長(zhǎng)11.89%;歸母凈利潤(rùn)2.55億元,同比下降3.35%;歸母扣非凈利潤(rùn)1.56億元,同比下降28.65%。

2023年,江豐電子已經(jīng)在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得進(jìn)展,其控股子公司寧波江豐同芯已搭建完成國(guó)內(nèi)首條具備世界先進(jìn)水平、自主化設(shè)計(jì)的第三代半導(dǎo)體功率器件模組核心材料制造生產(chǎn)線(xiàn),掌握了覆銅陶瓷基板DBC及AMB生產(chǎn)工藝,主要產(chǎn)品高端覆銅陶瓷基板已初步獲得市場(chǎng)認(rèn)可。其控股子公司晶豐芯馳全面布局SiC外延領(lǐng)域,SiC外延片產(chǎn)品已經(jīng)得到多家客戶(hù)認(rèn)可。

東微半導(dǎo)2023年SiC器件營(yíng)收約為2022年同期533倍

4月26日晚間,東微半導(dǎo)發(fā)布2023年年度報(bào)告。2023年,東微半導(dǎo)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收9.73億元,同比減少12.86%;歸母凈利潤(rùn)1.40億元,同比減少50.76%;歸母扣非凈利潤(rùn)1.19億元,同比減少55.41%。

2023年,東微半導(dǎo)在第三代半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化方面進(jìn)行了提前布局,在SiC二極管、SiC MOSFET及SiC MOSFET器件上取得了較大的研發(fā)進(jìn)展,其中,SiC MOSFET持續(xù)出貨,進(jìn)入批量交付階段。報(bào)告期內(nèi),其原創(chuàng)器件結(jié)構(gòu)的基于18V-20V驅(qū)動(dòng)平臺(tái)的1200V SiC MOSFET完成設(shè)計(jì)流片、可靠性評(píng)估工作,基于15V驅(qū)動(dòng)平臺(tái)的SiC MOSFET器件產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入內(nèi)部驗(yàn)證階段。

2023年,東微半導(dǎo)SiC器件產(chǎn)品(含SiC MOSFET)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收70.45萬(wàn)元,約為2022年同期收入水平的533倍。2024年,東微半導(dǎo)主營(yíng)產(chǎn)品將持續(xù)批量出貨并新增多個(gè)產(chǎn)品送測(cè)認(rèn)證。

燕東微2023年?duì)I收21.27億,6英寸SiC產(chǎn)能2000片/月

4月26日晚間,燕東微發(fā)布2023年年度報(bào)告。2023年,燕東微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收21.27億元,同比減少2.22%;歸母凈利潤(rùn)4.52億元,同比減少2.13%;歸母扣非凈利潤(rùn)2.92億元,同比減少20.03%。

燕東微是一家集芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測(cè)試于一體的企業(yè),其主營(yíng)業(yè)務(wù)包括產(chǎn)品與方案和制造與服務(wù)兩大類(lèi),主要市場(chǎng)領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、電力電子、新能源和特種應(yīng)用等,產(chǎn)品與方案板塊的產(chǎn)品包括分立器件及模擬集成電路、特種集成電路及器件,其制造與服務(wù)板塊聚焦于提供半導(dǎo)體開(kāi)放式晶圓制造和封裝測(cè)試服務(wù)。

目前,燕東微擁有一條8英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)、一條6英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)、一條6英寸SiC晶圓生產(chǎn)線(xiàn)和一條12英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)。

2023年,燕東微1200V SiC MOS器件產(chǎn)品已產(chǎn)出合格樣品,各項(xiàng)參數(shù)合格,已提交客戶(hù)驗(yàn)證。截至2023年年底,燕東微6英寸SiC生產(chǎn)線(xiàn)已具備量產(chǎn)條件的平臺(tái)包括1200V SiC SBD、1200V SiC MOS工藝平臺(tái),產(chǎn)能為2000片/月。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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