近日，又有兩個(gè)碳化硅相關(guān)項(xiàng)目披露了最新進(jìn)展，分別為瑞福芯科技車規(guī)級(jí)SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目和納設(shè)智能南通新生產(chǎn)基地項(xiàng)目，兩個(gè)項(xiàng)目總投資超10億元。
車規(guī)級(jí)SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目簽約
8月13日，據(jù)瑞福芯科技官微消息，瑞福芯科技總經(jīng)理周旭光與協(xié)同創(chuàng)新基金管理有限公司董事長(zhǎng)李萬(wàn)壽及總經(jīng)理丘煒雄、中科院先進(jìn)研究院中科中孵總經(jīng)理涂樂平、桉森芯（上海）微電子有限公司董事長(zhǎng)陳建璋于8月9日組成項(xiàng)目調(diào)研團(tuán)，一起就瑞福芯科技“車規(guī)級(jí)SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”落地江蘇東臺(tái)高新區(qū)進(jìn)行投資實(shí)地考察。
source：瑞福芯科技
考察后，瑞福芯科技與江蘇東臺(tái)高新區(qū)簽定了《車規(guī)級(jí)SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。瑞福芯科技擬落地江蘇東臺(tái)高新區(qū)，投資10-15億元建設(shè)第二研發(fā)中心和產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)基地，首期啟動(dòng)資金投入1億元。
資料顯示，瑞福芯科技成立于2022年10月，注冊(cè)資本1000萬(wàn)人民幣，經(jīng)營(yíng)范圍含半導(dǎo)體分立器件制造、半導(dǎo)體分立器件銷售、電子元器件制造、電力電子元器件制造等。
碳化硅業(yè)務(wù)進(jìn)展方面，瑞福芯科技在去年2月與愛仕特簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同推動(dòng)SiC功率模塊在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。
據(jù)悉，瑞福芯科技已建立預(yù)計(jì)年產(chǎn)30萬(wàn)只的模塊工廠，主要產(chǎn)品為車用SiC MOS功率模塊?；陔p方簽署的戰(zhàn)略合作協(xié)議，在未來(lái)數(shù)年內(nèi)瑞福芯科技生產(chǎn)的SiC MOS模塊將全部采用愛仕特的SiC MOS芯片，愛仕特將為瑞福芯科技批量供應(yīng)車用功率模塊所需的1200V/17mΩ及1700V/17mΩ的SiC MOS芯片，并協(xié)助瑞福芯科技建設(shè)模塊工廠，保證其后續(xù)的量產(chǎn)需求。
納設(shè)智能南通新生產(chǎn)基地環(huán)評(píng)獲批
8月5日，據(jù)南通高新區(qū)消息，納設(shè)智能位于南通市南通高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)雙福路126號(hào)半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)園N2棟1F、4F的廠房近日獲得環(huán)評(píng)審批。
環(huán)評(píng)信息顯示，該項(xiàng)目總投資6000萬(wàn)元，通過購(gòu)置超聲波清洗機(jī)、電加熱烤箱、光學(xué)裝配平臺(tái)、氦檢儀、CV測(cè)試儀等生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行CVD外延設(shè)備生產(chǎn)，項(xiàng)目建成后，預(yù)計(jì)形成年產(chǎn)R02型號(hào)CVD外延設(shè)備230臺(tái)、R04型號(hào)CVD外延設(shè)備220臺(tái)的生產(chǎn)能力。
在碳化硅外延設(shè)備細(xì)分領(lǐng)域，納設(shè)智能6英寸碳化硅外延設(shè)備在2023年已批量出貨給多家外延客戶，也獲得了批量驗(yàn)收，業(yè)績(jī)相較于2022年增長(zhǎng)了10倍。
在6英寸碳化硅外延設(shè)備出貨基礎(chǔ)上，納設(shè)智能研發(fā)并交付了8英寸碳化硅外延設(shè)備，其具備獨(dú)特的反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)、可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣方式等特點(diǎn)，將更好的提高外延片的均勻性，降低外延缺陷及生產(chǎn)中的耗材成本。目前，該設(shè)備已銷售給多個(gè)客戶。
在碳化硅襯底細(xì)分領(lǐng)域，納設(shè)智能自主研發(fā)的首臺(tái)原子層沉積設(shè)備在完成所有生產(chǎn)和測(cè)試流程后，于今年1月順利出貨。原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡(jiǎn)稱ALD）是一種薄膜沉積技術(shù)，可歸于化學(xué)氣相沉積大類。相對(duì)于一般化學(xué)氣相沉積，其具有獨(dú)特的表面自限制化學(xué)效應(yīng)，因而可以逐個(gè)原子層生長(zhǎng)各種化合物或單質(zhì)薄膜材料，實(shí)現(xiàn)更精確的厚度控制，可用于各類襯底材料的薄膜沉積。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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