氮化銦鎵(InGaN)是藍(lán)光LED的關(guān)鍵材料,最近有國(guó)際研究團(tuán)隊(duì)發(fā)表有關(guān)氮化銦鎵薄膜中銦(Indium)含量受限的核心機(jī)制,該研究在今年一月刊載于期刊《Physical Review Materials》上。
為了讓III族氮化物L(fēng)ED發(fā)出RGB三原色中的紅光和綠光,通常會(huì)增加氮...  [詳內(nèi)文]
國(guó)際研究:InGaN量子井在LED的局限性 |
作者
Wen, James
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發(fā)布日期:
2018 年 01 月 25 日 10:39
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關(guān)鍵字:
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