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6.98億，國產(chǎn)射頻芯片龍頭國博電子擬開展二期項目
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 23 日 17:22 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨（22）日，國產(chǎn)射頻芯片龍頭國博電子宣布，根據(jù)射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目整體規(guī)劃，擬使用自有或自籌資金購買位于南京市江寧區(qū)金鑫西路以東、鳳礦路以西地塊的土地使用權（最終購買金額和面積以實際出讓文件為準），并開展射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目二期建設。 項目與公司已建設的項目一期地塊為相鄰區(qū)...  [詳內(nèi)文]

臺灣地區(qū)化合物半導體產(chǎn)業(yè)迎來逆風，各大廠信心不減
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 23 日 17:21 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
受益于新能源革命，電動汽車、光伏儲能以及工業(yè)自動化等下游應用的多點爆發(fā)，以碳化硅、氮化鎵為首的化合物半導體進入了高速增長的階段，成為了行業(yè)“熱詞”，逐漸從小眾走向主流。 近年來，臺灣地區(qū)也在不斷加速化合物半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 01、2022年總產(chǎn)值791億元，年減4.5% 日前，據(jù)...  [詳內(nèi)文]

涉及GaN、GaAs技術，兆馳半導體與立琻半導體達成協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 23 日 16:54 | 分類 氮化鎵GaN
近日，兆馳半導體與蘇州立琻半導體有限公司（Lekin Semi）（以下簡稱“立琻半導體”）在LED芯片領域達成專利許可協(xié)議。 此項專利許可協(xié)議范圍包括數(shù)百項全球LED芯片核心專利，覆蓋美國、歐洲、日韓及中國大陸、中國臺灣等國家和地區(qū)，專利保護范圍包括PSS襯底，LED外延結構，L...  [詳內(nèi)文]

年產(chǎn)120臺化合物半導體MOCVD設備，中晟光電半導體設備項目封頂
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 22 日 17:22 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月18日，中晟光電設備（上海）股份有限公司位于臨港的研發(fā)和生產(chǎn)基地建設項目主體結構順利封頂。 據(jù)了解，項目建筑面積21,180.73平方米，包含千級潔凈室1,700平方、萬級潔凈室4,000平方、十萬級潔凈室2,000平方，涵蓋了辦公、研發(fā)、生產(chǎn)、會議、培訓等眾多區(qū)域。 項目建...  [詳內(nèi)文]

SiC相關企業(yè)譜析光晶完成數(shù)千萬元A輪融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 22 日 17:21 | 分類 碳化硅SiC
今年1月，譜析光晶宣布完成數(shù)千萬元A輪融資，由北京亦莊創(chuàng)投領投，上海脈尊、杭州長江創(chuàng)投等跟投。 譜析光晶成立于2020年，是一家第三代半導體碳化硅芯片和系統(tǒng)提供商，致力于碳化硅芯片和碳化硅高溫半導體系統(tǒng)設計制造以及應用的公司，其產(chǎn)品應用涵蓋電動汽車、能源勘探、光伏儲能、航天軍工等...  [詳內(nèi)文]

捷捷微電擬上調6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線總投資額
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 22 日 16:58 | 分類 氮化鎵GaN
2月22日，捷捷微電發(fā)布關于全資子公司功率半導體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線建設項目變更投資總額的公告。 據(jù)介紹，捷捷微電于2021年7月召開的董事會上審議通過了《關于對外投資的議案》，同意公司全資子公司捷捷半導體建設“功率半導體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線建設項目”，總投資5.1億...  [詳內(nèi)文]

又3大SiC/GaN項目落地浙江
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 22 日 16:55 | 分類 產(chǎn)業(yè)
2022年，SiC碳化硅領域熱火朝天，逆風而上，而2023年也延續(xù)了上一年的火熱趨勢，簽單、擴產(chǎn)不停。近日，國內(nèi)便又有三個項目傳來好消息。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 天狼芯半導體三代半封裝測試項目將落地浙江仙居 2月15日，深圳天狼芯半導體有限公司（以下簡稱：天狼芯半導體）與浙...  [詳內(nèi)文]

蓋澤半導體SiC外延膜厚測量設備順利交付
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 22 日 8:57 | 分類 碳化硅SiC
日前，華矽蓋澤半導體科技（上海）有限公司（以下簡稱：蓋澤半導體）宣布，其自主研發(fā)生產(chǎn)的SiC外延膜厚測量設備GS-M06Y已正式交付客戶。 GS-M06Y將應用于半導體前道量測，主要針對硅外延/碳化硅外延層厚度進行測量。GS-M06Y設備采用了蓋澤半導體自主研發(fā)的高精算法、Loa...  [詳內(nèi)文]

涉及化合物半導體，安徽省2023年首批重點項目公布
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 22 日 8:56 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月20日，安徽省人民政府公布安徽省2023年重點項目清單（第一批）。項目清單分為A類項目和B類項目，合計近一萬項項目。 A類中，續(xù)建項目包括“臻芯年產(chǎn)1000萬（套）LED封裝項目”、“青鳥消防應急照明生產(chǎn)基地項目”、“年產(chǎn)兩億顆LED照明芯片封測項目”、“芯視佳硅基OLED...  [詳內(nèi)文]

Microchip擬投資8.8億美元，擴大美國廠碳化硅產(chǎn)能
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 21 日 16:07 | 分類 碳化硅SiC
2月17日，美國Microchip微芯科技宣布，計劃投資8.8億美元，在未來幾年內(nèi)擴大其位于美國科羅拉多州斯普林斯生產(chǎn)基地的碳化硅和硅產(chǎn)能。 據(jù)悉，該廠的產(chǎn)能主要用于汽車、電網(wǎng)基礎設施、綠色能源、航空航天等領域。產(chǎn)品方面，該園區(qū)目前主要生產(chǎn)6英寸晶圓產(chǎn)品，未來微芯科技還將增加8英...  [詳內(nèi)文]