日前，華矽蓋澤半導(dǎo)體科技（上海）有限公司（以下簡稱：蓋澤半導(dǎo)體）宣布，其自主研發(fā)生產(chǎn)的SiC外延膜厚測(cè)量設(shè)備GS-M06Y已正式交付客戶。
GS-M06Y將應(yīng)用于半導(dǎo)體前道量測(cè)，主要針對(duì)硅外延/碳化硅外延層厚度進(jìn)行測(cè)量。GS-M06Y設(shè)備采用了蓋澤半導(dǎo)體自主研發(fā)的高精算法、Load Port、控制軟件以及FTIR光路系統(tǒng)。
公司自主研發(fā)的FTIR光路系統(tǒng)，可快速檢測(cè)晶圓厚度，實(shí)現(xiàn)了掃描速度快、分辨率高、靈敏度高等需求。設(shè)備兼容性強(qiáng)，可基于客戶需求進(jìn)行定制化；測(cè)量時(shí)間更短，精度更高。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
據(jù)了解，此臺(tái)設(shè)備運(yùn)用蓋澤半導(dǎo)體最新研發(fā)的碳化硅外延檢測(cè)技術(shù)，可對(duì)碳化硅外延精準(zhǔn)測(cè)量，是繼蓋澤半導(dǎo)體9月硅外延檢測(cè)設(shè)備出貨后，公司的又一里程碑。
據(jù)了解，蓋澤半導(dǎo)體不僅突破了SiC外延檢測(cè)技術(shù)，還可實(shí)現(xiàn)一代半導(dǎo)體（硅外延6英寸&8英寸&12英寸）、二代半導(dǎo)體（砷化鎵、磷化銦襯底外延4英寸&6英寸&8英寸）、三代半導(dǎo)體（碳化硅外延4英寸&6英寸&8英寸、氮化鎵外延）、SOI片頂層硅6英寸&8英寸&12英寸，以及鍺硅外延制程工藝中不同的外延層厚度測(cè)量。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）
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