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全球首創(chuàng)！我國九峰山實(shí)驗(yàn)室在氮化鎵材料新突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 24 日 14:17 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
據(jù)九峰山實(shí)驗(yàn)室3月22日消息，九峰山實(shí)驗(yàn)室的科研團(tuán)隊(duì)在全球首創(chuàng)性地實(shí)現(xiàn)了8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備，這一成果不僅標(biāo)志著我國在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重大進(jìn)步，更為未來諸多前沿技術(shù)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 1、技術(shù)突破：氮極性氮化鎵材料的制備 ...  [詳內(nèi)文]

山西天成12英寸碳化硅長(zhǎng)晶爐即將投放市場(chǎng)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 24 日 14:10 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，太原新聞報(bào)道，第一季度，山西天成已經(jīng)收到了500萬訂單。目前，山西天成正沖刺首季訂單交付“開門紅”。 資料顯示，山西天成業(yè)務(wù)聚焦碳化硅晶片的生產(chǎn)和長(zhǎng)晶裝備制造，具備完整的自主研發(fā)能力，從設(shè)備研制、粉料、籽晶、熱場(chǎng)設(shè)計(jì)到襯底制備全鏈條自主可控。 2024年山西天成組合營收達(dá)到...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)達(dá)成戰(zhàn)略合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 21 日 14:47 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，意法半導(dǎo)體（ST）與重慶郵電大學(xué)正式簽署產(chǎn)學(xué)研戰(zhàn)略合作協(xié)議，開啟深度合作新篇章。 據(jù)悉，此次簽約是落實(shí)2023年11月意法半導(dǎo)體與重慶高新區(qū)《人才培養(yǎng)與聯(lián)合創(chuàng)新國際合作備忘錄》的重要舉措，旨在服務(wù)重慶“33618”現(xiàn)代制造業(yè)集群建設(shè)戰(zhàn)略，助力智能網(wǎng)聯(lián)新能源汽車產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展...  [詳內(nèi)文]

注冊(cè)資本20億，度亙核芯上海成立新公司！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 21 日 14:45 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，度亙核芯光電技術(shù)（蘇州）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“度亙核芯”）在上海成立新公司——度亙核芯光電技術(shù)（上海）有限公司，注冊(cè)資本高達(dá)20億元人民幣。 據(jù)悉，新公司專注光通信設(shè)備制造、集成電路芯片及產(chǎn)品制造、光電子器件制造、半導(dǎo)體分立器件制造、電子元器件制造、電子專用材料制造和研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

三家企業(yè)聯(lián)合，攻關(guān)8英寸外延片功率器件工藝
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 21 日 14:42 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)深圳國資消息，3月18日，重投天科與鵬進(jìn)高科、尚陽通科技正式簽署合作協(xié)議，共同聚焦于8英寸外延片功率器件工藝的聯(lián)合攻關(guān)。這一合作標(biāo)志著國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)在關(guān)鍵材料技術(shù)領(lǐng)域的深度協(xié)同，旨在突破高端功率器件制造中的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。 source：深重投集團(tuán) 8英寸外延片是半導(dǎo)體制造中的...  [詳內(nèi)文]

2025CSE注冊(cè)雙重好禮，抽現(xiàn)金紅包＆觀展證免費(fèi)郵寄
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 21 日 10:37 | 分類 展會(huì)
2025年4月23-25日，第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)將在武漢光谷科技會(huì)展中心盛大啟幕。本屆展會(huì)以“激活未來”為主題，圍繞化合物半導(dǎo)體前沿技術(shù)、產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)及未來應(yīng)用展開深度探討。 ????????? 即日起注冊(cè)觀展 參與抽獎(jiǎng)贏取微信紅包、京東E卡等好...  [詳內(nèi)文]

華潤微旗下公司發(fā)力，氮化鎵外延片項(xiàng)目將投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 16:06 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
海創(chuàng)集團(tuán)官微消息，近日，潤新微電子集團(tuán)有限公司與大連海創(chuàng)集團(tuán)有限公司下屬建設(shè)發(fā)展公司正式達(dá)成戰(zhàn)略合作，宣布入駐黃泥川智能制造產(chǎn)業(yè)園。 上述項(xiàng)目是第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延材料和電子元器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的重要基地總建筑面積6238.38平方米，同時(shí)配套有占地面積2966.6平方米的附屬設(shè)...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)廠商科瑞爾完成新一輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 16:06 | 分類 企業(yè) , 功率
近期媒體報(bào)道，科瑞爾科技宣布完成數(shù)千萬元A+輪融資，資方為浙創(chuàng)投，資金將用于產(chǎn)品研發(fā)與運(yùn)營資金補(bǔ)充。此前，該公司已經(jīng)獲得中車資本戰(zhàn)略投資。 資料顯示，科瑞爾科技成立于2014年，是業(yè)內(nèi)同時(shí)具備IGBT模塊自動(dòng)化產(chǎn)線設(shè)計(jì)和單站核心設(shè)備研發(fā)能力的企業(yè)，主營產(chǎn)品已經(jīng)獲得國內(nèi)大多數(shù)頭部功...  [詳內(nèi)文]

安世半導(dǎo)體推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 10:52 | 分類 碳化硅SiC
近日，Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)戰(zhàn)略合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 10:41 | 分類 碳化硅SiC
近日，意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)在重慶安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠通線儀式后的“碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”上正式簽署產(chǎn)學(xué)研戰(zhàn)略合作協(xié)議。 雙方將在以下三方面展開產(chǎn)學(xué)研資源深度融合： 共建創(chuàng)新平臺(tái)：意法半導(dǎo)體在智能功率技術(shù)、寬禁帶帶隙半導(dǎo)體、汽車芯片、邊緣人工智能、傳感以及數(shù)字和混合信號(hào)技術(shù)等...  [詳內(nèi)文]