2月27日，EPC推出采用緊湊型3 mm x 5 mm QFN封裝的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET，為DC-DC轉(zhuǎn)換、快速充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和太陽(yáng)能MPPT提供更高的功率密度。
EPC稱(chēng)，這是市場(chǎng)上導(dǎo)通電阻最低的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，功率密度提高了一倍。
EPC2361具有典型的RDS（開(kāi)）僅為1mΩ，采用耐熱增強(qiáng)型QFN封裝，頂部裸露，尺寸小巧，為3 mm x 5 mm。最大RDS（開(kāi)）x EPC2361面積為15 mΩ*mm2–比同類(lèi)100 V Si MOSFET小5倍以上。
source：EPC
憑借其超低導(dǎo)通電阻，該器件可在功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率，從而降低能耗和散熱。這一突破對(duì)于大功率PSU AC-DC同步整流、數(shù)據(jù)中心的高頻DC-DC轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車(chē)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)、機(jī)器人、無(wú)人機(jī)和太陽(yáng)能MPPT等應(yīng)用尤為重要。
EPC首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Alex Lidow表示：“我們新的1 mΩ GaN FET持續(xù)突破GaN技術(shù)的極限，使我們的客戶(hù)能夠創(chuàng)建更高效、更緊湊、更可靠的電力電子系統(tǒng)。”
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