據(jù)新聞晨報報道，8月21日，從江蘇通用半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱通用半導(dǎo)體）傳來消息，由該公司自主研發(fā)的國內(nèi)首套的8英寸碳化硅晶錠激光全自動剝離設(shè)備正式交付碳化硅襯底生產(chǎn)領(lǐng)域頭部企業(yè)，并投入生產(chǎn)。
據(jù)了解，該設(shè)備可實現(xiàn)6英寸和8英寸碳化硅晶錠的全自動分片，將極大地提升我國碳化硅芯片產(chǎn)業(yè)的自主化、產(chǎn)業(yè)化水平。該設(shè)備年可剝離碳化硅襯底20000片，實現(xiàn)良率95%以上，與傳統(tǒng)的線切割工藝相比，大幅降低了產(chǎn)品損耗，而設(shè)備售價僅僅是國外同類產(chǎn)品的1/3。
值的一提的是，今年7月，通用半導(dǎo)體自研的碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備成功實現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶圓片。
資料顯示，通用半導(dǎo)體成立于2019年，致力于高端半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與材料的研發(fā)和制造。
在融資方面，通用半導(dǎo)體在2021年8月和2023年8月分別完成天使輪和A輪融資，投資方包括天演基金、拉薩楚源、渾璞投資、東北證券、鼎心資本等機構(gòu)。
在產(chǎn)品方面，通用半導(dǎo)體于2020年研發(fā)出國內(nèi)首臺半導(dǎo)體激光隱形切割機；2022年成功推出國內(nèi)首臺18納米及以下SDBG激光隱切設(shè)備（針對3D Memory)；2023年成功研發(fā)國內(nèi)首臺8英寸全自動SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線；2024年研制成功SDTT激光隱切設(shè)備（針對3D HBM）。
江蘇通用半導(dǎo)體有限公司董事長陶為銀介紹，采用基于激光工具和加工技術(shù)切割、剝離碳化硅晶錠，可實現(xiàn)高效、精確和高質(zhì)量的制造，極大地降低碳化硅襯底的生產(chǎn)成本，減少浪費和環(huán)境影響。（文：集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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