9月27日，住友金屬礦山株式會(huì)社（以下簡稱“住友金屬”）及其全資子公司Sicoxs Coparation宣布，將在Sicoxs的Ohkuchi工廠建設(shè)一條新的8英寸（200mm）SiCkrest大規(guī)模生產(chǎn)線，SiCkrest為直接鍵合的碳化硅（SiC）襯底。
source：住友金屬
住友金屬已經(jīng)開始銷售6英寸SiCkrest產(chǎn)品，并且其直接鍵合技術(shù)已經(jīng)獲得許可。而在8英寸方面，盡管公司在2022年7月做出了投資開發(fā)線的決策，但直到2024年9月才開始向客戶發(fā)送樣品進(jìn)行認(rèn)證。
住友金屬預(yù)計(jì)，隨著8英寸襯底生產(chǎn)線的建成，到2025財(cái)年下半年，鍵合SiC襯底的月產(chǎn)能將超過10,000片（6英寸等效）。同時(shí)，Sicoxs還計(jì)劃開始向其被許可方供應(yīng)多晶SiC支撐基板。
據(jù)悉，SiCkrest使用一種獨(dú)特的鍵合技術(shù)來創(chuàng)建兩層晶片，從而實(shí)現(xiàn)高性能和有競爭力的價(jià)格。通過在低電阻多晶SiC支撐基板上鍵合一層高質(zhì)量的單晶SiC薄層，這些產(chǎn)品能夠在保持單晶SiC特性的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)整個(gè)基板的低電阻和減少電流衰減。
source：住友金屬
SiC作為一種優(yōu)異的半導(dǎo)體材料，特別適用于控制電力。與傳統(tǒng)硅（Si）相比，SiC能夠承受更高的電壓，并且顯著減少能量損失。這些特性使得SiC在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的驅(qū)動(dòng)控制器中備受青睞，尤其是在需要大電流和高耐壓的高容量領(lǐng)域，預(yù)計(jì)市場需求將不斷增長。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢推出的《2024全球SiC Power Device市場分析報(bào)告》，作為未來電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢(shì)，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢(shì)，預(yù)估2028年全球SiCPower Device市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。此外，生產(chǎn)單晶SiC需要大量電能。Sicoxs的技術(shù)通過重復(fù)使用單晶SiC來增加市場供應(yīng)，同時(shí)減少整體能源消耗。住友金屬礦山集團(tuán)將繼續(xù)擴(kuò)大其SiCkrest相關(guān)業(yè)務(wù)，并致力于實(shí)現(xiàn)可持續(xù)的業(yè)務(wù)增長和增加企業(yè)價(jià)值。
值得注意的是，近期，日本多家碳化硅廠商也紛紛采取行動(dòng)：
● 8月1日，東海碳素（Tokai Carbon）宣布計(jì)劃投資54億日元（約合人民幣2.66億元）在日本神奈川縣茅崎市建設(shè)一條多晶SiC晶圓專線，預(yù)計(jì)2024年12月完工。
● 9月17日，日本礙子宣布成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓，并在美國ICSCRM 2024上展示了相關(guān)研究成果。公司利用其陶瓷加工技術(shù)在多個(gè)襯底上生長具有低BPD密度的4H-SiC晶體。通過該工藝，公司完成了在4英寸4H-SiC籽晶上同時(shí)生長了9個(gè)晶體的實(shí)驗(yàn)。
● 9月24日，Resonac（原昭和電工）宣布與Soitec簽署合作協(xié)議，共同開發(fā)用于功率半導(dǎo)體的8英寸SiC鍵合襯底。
這些動(dòng)態(tài)表明，日本在碳化硅領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn)能力正在不斷增強(qiáng)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
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