11月4日，美國半導(dǎo)體企業(yè)MACOM宣布，將引領(lǐng)一個碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目，主要針對于射頻（RF）和微波應(yīng)用領(lǐng)域。
項(xiàng)目專注于開發(fā)氮化鎵基材料和單片微波集成電路（MMIC）的半導(dǎo)體制造工藝，以實(shí)現(xiàn)在高壓和毫米波（mmW）頻率下的高效運(yùn)行。
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MACOM將攜手北卡羅來納州立大學(xué)、Adroit Materials和海軍研究實(shí)驗(yàn)室（NRL）等寬帶隙半導(dǎo)體商業(yè)飛躍（CLAWS）微電子共享中心的成員共同推進(jìn)該項(xiàng)目。美國國防部通過《芯片與科學(xué)法案》對其提供資金，項(xiàng)目首年的資助金額為340萬美元。
MACOM強(qiáng)調(diào)，該項(xiàng)目進(jìn)一步擴(kuò)展了公司與美國國防部在氮化鎵技術(shù)開發(fā)領(lǐng)域的合作。其中包括2021年與美國空軍研究實(shí)驗(yàn)室（AFRL）簽訂的合作研究與發(fā)展協(xié)議（CRADA），在該合作中，MACOM成功將AFRL的0.14μm碳化硅基氮化鎵MMIC工藝轉(zhuǎn)移到其位于馬薩諸塞州的美國可信鑄造廠。
進(jìn)入2023年，MACOM獲得了一份價值400萬美元的AFRL合同以及來自國防高級研究計(jì)劃局（DARPA）的1010萬美元撥款。合同資金將用于開發(fā)毫米波應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)，而撥款則旨在改善高功率應(yīng)用的散熱問題。
今年初，MACOM還獲得了一份由《芯片和科學(xué)法案》資助的氮化鎵技術(shù)開發(fā)合同，金額高達(dá)1140萬美元。集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯
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