11月4日，美國半導體企業(yè)MACOM宣布，將引領一個碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）技術開發(fā)項目，主要針對于射頻（RF）和微波應用領域。
項目專注于開發(fā)氮化鎵基材料和單片微波集成電路（MMIC）的半導體制造工藝，以實現(xiàn)在高壓和毫米波（mmW）頻率下的高效運行。
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MACOM將攜手北卡羅來納州立大學、Adroit Materials和海軍研究實驗室（NRL）等寬帶隙半導體商業(yè)飛躍（CLAWS）微電子共享中心的成員共同推進該項目。美國國防部通過《芯片與科學法案》對其提供資金，項目首年的資助金額為340萬美元。
MACOM強調，該項目進一步擴展了公司與美國國防部在氮化鎵技術開發(fā)領域的合作。其中包括2021年與美國空軍研究實驗室（AFRL）簽訂的合作研究與發(fā)展協(xié)議（CRADA），在該合作中，MACOM成功將AFRL的0.14μm碳化硅基氮化鎵MMIC工藝轉移到其位于馬薩諸塞州的美國可信鑄造廠。
進入2023年，MACOM獲得了一份價值400萬美元的AFRL合同以及來自國防高級研究計劃局（DARPA）的1010萬美元撥款。合同資金將用于開發(fā)毫米波應用的氮化鎵技術，而撥款則旨在改善高功率應用的散熱問題。
今年初，MACOM還獲得了一份由《芯片和科學法案》資助的氮化鎵技術開發(fā)合同，金額高達1140萬美元。集邦化合物半導體Morty編譯
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