文章分類： 功率

總投資21億，晶盛機(jī)電SiC襯底片項(xiàng)目正式簽約啟動(dòng)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 06 日 13:42 |
| 分類: 功率
11月4日，晶盛機(jī)電“年產(chǎn)25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目”正式簽約啟動(dòng)，此舉旨在攻關(guān)半導(dǎo)體材料端關(guān)鍵核心技術(shù)，最終實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代。 據(jù)悉，此次簽約項(xiàng)目總投資達(dá)21.2億元。啟動(dòng)儀式上，晶盛機(jī)電董事長曹建偉博士表示，本次項(xiàng)目啟動(dòng)，是晶盛機(jī)電創(chuàng)新增長的重要方向。 資料顯示...  [詳內(nèi)文]

日立功率半導(dǎo)體被收購

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 03 日 14:21 |
| 分類: 功率
11月2日，株式會社日立制作所（以下簡稱日立）宣布與美蓓亞三美株式會社（以下簡稱美蓓亞三美）簽訂合同，日立決定將其全資子公司株式會社日立功率半導(dǎo)體（以下簡稱日立功率半導(dǎo)體）的全部股份轉(zhuǎn)讓給美蓓亞三美。 日立功率半導(dǎo)體股權(quán)轉(zhuǎn)讓 據(jù)悉，日立此次股權(quán)轉(zhuǎn)讓涉及股份數(shù)量為45萬股。目前，股...  [詳內(nèi)文]

智新半導(dǎo)體首批自主碳化硅功率模塊下線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 02 日 17:35 |
| 分類: 功率
近日，智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊，該批產(chǎn)品已完成自主封裝、測試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。 據(jù)悉，智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開發(fā)，去年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)項(xiàng)目。該項(xiàng)目以智新半導(dǎo)體封裝技術(shù)為引領(lǐng)，實(shí)現(xiàn)了從模塊設(shè)計(jì)、封裝測試、電控應(yīng)用到整...  [詳內(nèi)文]

中電化合物完成交付首批8吋SiC外延片產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 02 日 17:34 |
| 分類: 功率
10月31日，中電化合物半導(dǎo)體有限公司（CECS）宣布成功向客戶交付首批次8吋SiC外延片產(chǎn)品，這標(biāo)志著中電化合物的外延產(chǎn)品邁上新臺階，可為行業(yè)提供更加先進(jìn)的技術(shù)支持，從而推動(dòng)碳化硅行業(yè)加速發(fā)展。 據(jù)中電化合物介紹，相比6吋，8吋SiC外延片面積增加78%，能夠較大幅度降低碳化硅...  [詳內(nèi)文]

Power Integrations推出史上最高電壓GaN開關(guān)IC

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 01 日 18:11 |
| 分類: 功率
Power Integrations（PI）?近日發(fā)布了據(jù)稱是世界上最高電壓的單開關(guān)GaN電源 IC，采用1250V PowiGaN開關(guān)。 InnoSwitc3-EP 1250V IC是PI的InnoSwitch恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列的最新成員。據(jù)悉，它具有同...  [詳內(nèi)文]

新微半導(dǎo)體推出新型GaAs pHEMT工藝平臺

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 30 日 17:40 |
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上海新微半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“新微半導(dǎo)體”）于昨日（10/26）宣布基于6吋砷化鎵（GaAs）晶圓材料的增強(qiáng)/耗盡型（Enhancement/Depletion Mode）pHEMT工藝平臺(簡稱“PTA25工藝平臺”)開發(fā)完成。 該平臺憑借高電子遷移率、高增益、高功率和超低...  [詳內(nèi)文]

基本半導(dǎo)體推出新SiC MOSFET產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 30 日 17:36 |
| 分類: 功率
在10月26-27日舉辦的2023基本創(chuàng)新日活動(dòng)上，基本半導(dǎo)體正式發(fā)布了第二代碳化硅MOSFET芯片、汽車級及工業(yè)級碳化硅MOSFET功率模塊、功率器件門極驅(qū)動(dòng)器及驅(qū)動(dòng)芯片等系列新品。 據(jù)介紹，基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圓平臺進(jìn)行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品...  [詳內(nèi)文]

東尼電子8英寸SiC襯底獲小批量訂單

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 27 日 17:33 |
| 分類: 功率
東尼電子于昨日（10/26）在互動(dòng)平臺表示，公司8英寸SiC襯底處于研發(fā)驗(yàn)證階段，已有小批量訂單，將持續(xù)推進(jìn)驗(yàn)證量產(chǎn)進(jìn)程。 今年1月，東尼半導(dǎo)體與下游客戶T簽訂了三年交付近百萬片6英寸SiC襯底的《采購合同》。按照該協(xié)議，今年東尼半導(dǎo)體將向該客戶交付6英寸SiC襯底13.50萬片...  [詳內(nèi)文]

8英寸時(shí)代：國產(chǎn)SiC襯底如何升級？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 27 日 17:30 |
| 分類: 功率
當(dāng)下，新能源汽車、5G通訊、光伏、儲能等下游領(lǐng)域迸射出的強(qiáng)烈需求，正驅(qū)動(dòng)著碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)在高速發(fā)展，與此同時(shí)多方紛紛加強(qiáng)研發(fā)力度，旨在突破技術(shù)壁壘，搶占市場先機(jī)。 其中，作為碳化硅突破瓶頸的重要工藝節(jié)點(diǎn)，8英寸SiC襯底成為各方搶攻的黃金賽道。 下一個(gè)拐點(diǎn)尺寸：8英寸SiC...  [詳內(nèi)文]

聯(lián)合上汽/小鵬/寧王等，中芯集成成立SiC公司

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 26 日 17:34 |
| 分類: 功率
今年8月31日，中芯國際關(guān)聯(lián)公司——中芯集成宣布，擬與碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)鏈上下游重要參與者、關(guān)聯(lián)方共同設(shè)立控股子公司芯聯(lián)動(dòng)力科技（紹興）有限公司（“芯聯(lián)動(dòng)力”），以優(yōu)化公司在SiC等化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局。 10月25日晚間，中芯集成宣布芯聯(lián)動(dòng)力正式成立，注冊資本5億元，其中，...  [詳內(nèi)文]