文章分類： 功率

印度或?qū)⒎謩e新建一座碳化硅和氮化鎵晶圓廠

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 15 日 17:50 |
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8月14日，據(jù)外媒報道，L&T Semiconductor Technologies（LTSCT）計劃投資100億~120億美元，在未來5到10年內(nèi)在印度建立三個半導(dǎo)體制造工廠，分別專注于硅、碳化硅和氮化鎵技術(shù)。 LTSCT為L&T的全資子公司，是一家無晶圓廠公司...  [詳內(nèi)文]

8英寸碳化硅，如火如荼

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 14 日 15:00 |
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近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動。功率半導(dǎo)體大廠英飛凌于8月8日宣布，已正式啟動位于馬來西亞新晶圓廠的第一階段，該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體晶圓廠，預(yù)計2025年開始量產(chǎn)。 碳化硅尺寸越大，單位芯片成本越低，故6英寸向...  [詳內(nèi)文]

日本將新增一條SiC產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 05 日 18:10 |
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據(jù)日媒報道，8月1日，碳和石墨產(chǎn)品綜合制造商東海碳素（Tokai Carbon）擬投資54億日元（折合人民幣約為2.7億元）在日本神奈川縣茅崎市建立一條多晶SiC晶圓專線，并預(yù)計將于2024年12月完成建設(shè)。 東海炭素開發(fā)的用于功率半導(dǎo)體的SiC晶圓，被稱為“層壓SiC晶圓”。層...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體13項標準有新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 31 日 17:20 |
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近日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）官方微信消息，其標準化委員會（CASAS）公布了13項標準新進展，包括2項GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試標準形成委員會草案、2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標準征求意見、9項SiC MOSFET技術(shù)標準已完成征求意見稿的編制。 ...  [詳內(nèi)文]

德高化成GaN倒裝芯片LED封裝制造擴產(chǎn)項目開工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 30 日 17:59 |
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據(jù)天津經(jīng)開區(qū)一泰達消息，近日，天津德高化成新材料股份有限公司的全資子公司天津德高化成科技有限公司（以下簡稱德高化成）在天津經(jīng)開區(qū)的施工現(xiàn)場打下第一根樁，標志著德高化成第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴產(chǎn)項目正式開工建設(shè)。 據(jù)悉，第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

設(shè)備入場！三安半導(dǎo)體8英寸碳化硅提速

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 25 日 15:53 |
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據(jù)三安半導(dǎo)體官微消息，7月24日，三安半導(dǎo)體舉行芯片二廠M6B設(shè)備入場儀式。這標志著三安碳化硅（SiC）項目二期通線在即，將為全面加速8英寸SiC產(chǎn)業(yè)布局，實現(xiàn)產(chǎn)線正式投產(chǎn)奠定良好基礎(chǔ)。 source：三安半導(dǎo)體 據(jù)介紹，湖南三安SiC項目總投資高達160億人民幣，旨在打造6...  [詳內(nèi)文]

韓國首個1200V 氧化鎵SBD問世

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 24 日 16:30 |
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7月22日，韓國化合物半導(dǎo)體公司Siegtronics宣布，公司已開發(fā)出可應(yīng)用于高速開關(guān)的氧化鎵（Ga2O3）肖特基勢壘二極管（SBD）。 source：Siegtronics 據(jù)悉，氧化鎵是一種寬帶隙（WBG）材料，與碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相比，具有更寬帶隙和更高...  [詳內(nèi)文]

悉智科技車規(guī)級碳化硅模塊項目正式投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 24 日 16:27 |
| 分類: 功率
7月22日，蘇州悉智科技有限公司（以下簡稱“悉智科技”）宣布其首批車規(guī)級功率模塊量產(chǎn)產(chǎn)品正式下線投產(chǎn)。 source：悉智科技 據(jù)介紹，此次下線的首批量產(chǎn)模塊，是悉智科技自研的高端電驅(qū)碳化硅（SiC）塑封功率模塊產(chǎn)品。悉智科技表示，該產(chǎn)品已經(jīng)贏得了國內(nèi)外多家知名OEM廠商的認...  [詳內(nèi)文]

130um，全球最薄碳化硅晶圓片問世

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 12 日 17:20 |
| 分類: 功率
江蘇通用半導(dǎo)體有限公司（原：河南通用智能裝備有限公司，下文簡稱“通用半導(dǎo)體”）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研設(shè)備（碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備）成功實現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶 8英寸SiC晶錠激光全自動剝離設(shè)備（source：通用半導(dǎo)體） 資料顯示，通用...  [詳內(nèi)文]

18臺碳化硅整線濕法設(shè)備，創(chuàng)微微電子再次中標

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 10 日 14:07 |
| 分類: 功率
7月9日，光伏設(shè)備大廠捷佳偉創(chuàng)宣布，繼4月份半導(dǎo)體碳化硅整線濕法設(shè)備訂單并完成合同簽署后，近日公司子公司創(chuàng)微微電子（常州）有限公司（以下簡稱：創(chuàng)微微電子）再次斬獲另一家半導(dǎo)體頭部企業(yè)整線濕法設(shè)備訂單，目前已完成合同簽訂工作。 據(jù)介紹，此次簽訂的合同標的位于該客戶新產(chǎn)業(yè)園的碳化硅產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]