文章分類： 功率

鎵仁半導體推出2英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 10 日 13:51 | | 分類: 功率
4月9日，杭州鎵仁半導體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導體”）宣布正式推出2英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底，在(010)襯底的研發(fā)生產(chǎn)方面再創(chuàng)新高。 source：鎵仁半導體 據(jù)介紹，氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場強高、巴利加優(yōu)值大等優(yōu)點，使基于氧化鎵的功率器...  [詳內文]

韓國電子通信研究院將啟動GaN晶圓代工服務

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 09 日 10:39 |
| 分類: 功率
據(jù)韓媒報道，近日，韓國電子通信研究院（ETRI）宣布將啟動150nm氮化鎵（GaN）半導體本土代工試點服務。 source：拍信網(wǎng) 4月4日，ETRI公布了根據(jù)科學與信息通信技術部”電信用化合物半導體研究代工廠”項目開發(fā)的150nm GaN微波集成電路（...  [詳內文]

韓國釜山將新建2座8英寸化合物半導體工廠

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 09 日 10:37 |
| 分類: 功率
4月6日，釜山市政府宣布投資400億韓元（折合人民幣約2.14億元），在東南放射科學產(chǎn)業(yè)園區(qū)增建采用碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等新一代材料的8英寸化合物功率半導體生產(chǎn)設施，該項目已獲國家及市級基金資助。 source：拍信網(wǎng) 為構建生產(chǎn)下一代功率半導體的生態(tài)系統(tǒng)，釜山市...  [詳內文]

韓國首款2300V SiC MOSFET問世

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 04 月 03 日 14:27 |
| 分類: 功率
據(jù)韓媒ETnews報道，3月26日，半導體設計公司Power Cube Semi宣布，已在韓國首次成功開發(fā)出2300V碳化硅（SiC）MOSFET，并將于明年初量產(chǎn)。 source：Power Cube Semi 據(jù)介紹，Power Cube Semi稱，2300V SiC M...  [詳內文]

聯(lián)合多家頭部企業(yè)，上海打造8英寸碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 29 日 17:50 |
| 分類: 功率
3月29日，據(jù)媒體報道，“聚勢芯港、引臨未來”2024上海全球投資促進大會暨臨港新片區(qū)寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈投資機遇分享會在世界會客廳舉行。據(jù)介紹，本次活動也是上海首次舉辦的寬禁帶半導體推介活動。 會上，上海市經(jīng)信委副主任張宏韜、臨港新片區(qū)黨工委副書記吳曉華共同為“寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)基...  [詳內文]

50億美元，全球最大、最先進的碳化硅工廠封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 28 日 10:56 |
| 分類: 功率
3月26日，Wolfspeed旗下耗資50億美元（折合人民幣約361億元）的8吋碳化硅（SiC）制造中心宣告封頂，美國參議員湯姆·蒂利斯 (Thom Tillis) 與Wolfspeed高管一起參加了封頂儀式。 source：Wolfspeed 該工廠以該公司已故聯(lián)合創(chuàng)始人Jo...  [詳內文]

4Q23搭載SiC功率芯片逆變器市占率達15%

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 21 日 20:48 |
| 分類: 功率
根據(jù)TrendForce集邦咨詢全球電動車逆變器市場數(shù)據(jù)顯示，2023年第四季全球電動車逆變器裝機量達714萬套，相較2023年第三季639萬套，季增約12%，主因是去年第四季電動車季單季銷量較第三季成長。其中，逆變器市場主要的推動力來自于純電動車（BEV）。 TrendFor...  [詳內文]

中國SiC外延片市場，繁榮與挑戰(zhàn)并存

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 21 日 20:43 |
| 分類: 功率
隨著電動汽車和新能源需求的持續(xù)擴大，碳化硅功率半導體元件在各領域的滲透率呈現(xiàn)持續(xù)攀升之勢。對于碳化硅外延片環(huán)節(jié)，過去市場長期由Resonac、Wolfspeed等國際大廠主導，中國廠商瀚天天成與天域半導體歷經(jīng)10余年積累，終隨新能源浪潮迎來業(yè)務高速增長期，近年來全球市場份額得以迅...  [詳內文]

發(fā)展汽車、工業(yè)領域，瑞能半導通過IPO輔導驗收

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 19 日 17:24 | | 分類: 功率
根據(jù)中國證券監(jiān)督管理委員會官網(wǎng)資料，瑞能半導體科技股份有限公司（以下簡稱：瑞能半導）已通過輔導驗收。 事實上，這并非瑞能半導首次申請上市。2020年8月，瑞能半導于上交所上市的申請獲得受理，但其最終于2021年6月申請撤回申請文件。 2023年7月，瑞能半導重整旗鼓，與西南證券...  [詳內文]

英飛凌、羅姆產(chǎn)品新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 07 日 10:28 |
| 分類: 功率
近日，英飛凌和羅姆兩大SiC龍頭在產(chǎn)品端公布了新進展。 英飛凌推出Cool SiC MOSFET G2 3月5日，英飛凌宣布，公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術產(chǎn)品，CoolSiC MOSFET G2系列產(chǎn)品。 source：英飛凌 英飛凌表示，新一代C...  [詳內文]