10月18日，凌銳半導(dǎo)體（上海）有限公司（下文簡(jiǎn)稱“凌銳半導(dǎo)體”）官方公眾號(hào)發(fā)文宣布，凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。
據(jù)介紹，該產(chǎn)品具備開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn)，能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
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SiC企業(yè)凌銳半導(dǎo)體推出新一代1200V SiC MOS |
| 作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 10 月 20 日 18:48 | 分類 功率 |
