近日,安森美推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM 31智能功率模塊(IPM)系列。與使用第7代場(chǎng)截止(FS7)IGBT技術(shù)相比,安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度,從而... [詳內(nèi)文]
?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本 |
作者 florafeng|發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:02 | 分類 功率 |