相關(guān)資訊：功率器件

芯片級(jí)印刷機(jī) | 功率器件框架窄邊印刷，搭配芯上印刷技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 14 日 14:24 | 分類 企業(yè) , 功率
? 半導(dǎo)體行業(yè)首臺(tái)采用窄邊印刷的芯片級(jí)印刷機(jī)，能實(shí)現(xiàn)高精度3D臺(tái)階印刷。 ? 搭配芯上印刷技術(shù)，在高精度壓力控制下，使芯片上再印刷成為現(xiàn)實(shí)。 ? 應(yīng)用產(chǎn)品包括：大功率二極管、MOS 管、DrMOS、多芯 Clip等等。 窄邊印刷 框架類產(chǎn)品通常比較薄且長寬比差異較大，容易產(chǎn)生彎...  [詳內(nèi)文]

涉及功率器件領(lǐng)域，英飛凌與美的集團(tuán)深化合作！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 14 日 14:03 | 分類 企業(yè) , 功率
5月14日消息，英飛凌科技與美的集團(tuán)近日簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將深度整合各自優(yōu)勢資源，在智能家電、新能源以及全球供應(yīng)等多維度加深合作。 source：英飛凌 長期以來，英飛凌與美的集團(tuán)緊密合作，技術(shù)協(xié)同的深度與廣度持續(xù)升級(jí)，合作領(lǐng)域不斷拓展，從最初聚焦于家電核心模塊，逐步向智能...  [詳內(nèi)文]

四款新品集體亮相，SiC與GaN齊發(fā)力
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 23 日 16:06 | 分類 企業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
近期，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域動(dòng)作頻頻，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）兩大技術(shù)路線均有新品亮相，如英飛凌、英諾賽科、華潤微電子、派恩杰半導(dǎo)體不斷推出新產(chǎn)品，為功率器件市場注入新活力。 英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列 4月22日，英飛凌官微宣布推出Coo...  [詳內(nèi)文]

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:02 | 分類 功率
近日，安森美推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。與使用第7代場截止（FS7）IGBT技術(shù)相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而...  [詳內(nèi)文]

長城汽車取得驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)專利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 10 日 17:51 | 分類 功率
近期，國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，長城汽車股份有限公司取得一項(xiàng)名為“驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)”的專利。 專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開了一種驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，所述驅(qū)動(dòng)電路包括： 第一驅(qū)動(dòng)模塊，所述第一驅(qū)動(dòng)模塊與功率器件連接；第二驅(qū)動(dòng)模塊，所述第二驅(qū)動(dòng)模塊與所述功率器件、所述第一驅(qū)動(dòng)模塊連接...  [詳內(nèi)文]

元芯半導(dǎo)體、賽微電子等公司氮化鎵新動(dòng)態(tài)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 10 日 17:12 | 分類 功率 , 射頻 , 氮化鎵GaN
氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，以其高頻、高電子遷移率、強(qiáng)輻射抗性、低導(dǎo)通電阻以及無反向恢復(fù)損耗等顯著優(yōu)勢，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出極大的應(yīng)用潛力，并吸引相關(guān)廠商持續(xù)布局。 近期，市場傳出元芯半導(dǎo)體、賽微電子等公司在氮化鎵領(lǐng)域的新動(dòng)態(tài)。 元芯推出高性能氮化鎵功率器件 近日，元芯半導(dǎo)體正...  [詳內(nèi)文]

四川巴中經(jīng)開區(qū)功率器件封裝項(xiàng)目設(shè)備進(jìn)場
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月18日，據(jù)“巴中經(jīng)開區(qū)”官微消息，位于四川巴中經(jīng)開區(qū)東西部協(xié)作產(chǎn)業(yè)園二期的功率器件封裝生產(chǎn)基地項(xiàng)目，首批58臺(tái)封裝設(shè)備于12月18日正式進(jìn)場，標(biāo)志著該項(xiàng)目進(jìn)入投產(chǎn)前的沖刺階段。 source：巴中經(jīng)開區(qū) 據(jù)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人介紹，第一批58臺(tái)設(shè)備主要是封裝前端固晶、共晶熱機(jī)設(shè)備，...  [詳內(nèi)文]

長飛先進(jìn)武漢基地主體樓全面封頂
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 11 日 15:40 | 分類 功率
9月10號(hào)晚，長飛先進(jìn)宣布，公司武漢基地主體樓已全面封頂。 source：長飛先進(jìn) 據(jù)悉，長飛先進(jìn)武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，致力于打造一個(gè)集芯片設(shè)計(jì)、制造及先進(jìn)技術(shù)研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導(dǎo)體制造基地。項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，...  [詳內(nèi)文]

捷捷微電8英寸功率器件芯片項(xiàng)目簽約
作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 17 日 17:38 | 分類 企業(yè)
5月16日，捷捷微電8英寸功率半導(dǎo)體器件芯片項(xiàng)目和通富微電先進(jìn)封裝項(xiàng)目簽約落戶蘇錫通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)。據(jù)悉，通富微電與捷捷微電已在園區(qū)完成累計(jì)總投資近150億元。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 項(xiàng)目方面，捷捷微電另外一個(gè)功率器件項(xiàng)目近期也傳出新進(jìn)展。上個(gè)月?lián)蹎|消息，捷捷微電功率半導(dǎo)...  [詳內(nèi)文]

涉資57億，又3個(gè)項(xiàng)目啟動(dòng)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 17 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日，3個(gè)項(xiàng)目相繼簽約啟動(dòng)，分別是大江半導(dǎo)體碳化硅（SiC）項(xiàng)目、先越光電化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目、瑞普智能功率半導(dǎo)體模組制造項(xiàng)目。 圖源：拍信網(wǎng)正版圖庫 先越光電半導(dǎo)體器件模組產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目落戶重慶萬州 1月13日，在重慶市2024年一季度重點(diǎn)制造業(yè)開工項(xiàng)目現(xiàn)場推進(jìn)會(huì)萬州區(qū)分現(xiàn)場，集中開...  [詳內(nèi)文]