英飛凌擴展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列
近日，英飛凌宣布采用新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，以擴展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列。
該款經(jīng)過驗證的62mm器件采用半橋拓?fù)湓O(shè)計，并基于最近推出的先進M1H碳化硅（SiC）M... [詳內(nèi)文]
英飛凌、巨子半導(dǎo)體推出1200V MOSFET新品 |
| 作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 11 月 28 日 14:40 | 分類 企業(yè) |