牛津儀器?(Oxford Instruments)?宣布旗下用于GaN HEMT 器件生產(chǎn)的等離子原子層沉積（ALD）和原子層蝕刻（ALE）設(shè)備獲得多家日本代工廠的大量訂單。 這些設(shè)備將支持高增長的GaN電力電子和射頻市場，其中消費(fèi)類快速充電和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用是GaN電力電子應(yīng)用的最...  [詳內(nèi)文]