相關資訊：碳化硅

總投資10億，北一第三代半導體功率器件項目開工
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 18:00 | 分類 企業(yè)
6月26日，據(jù)建湖發(fā)布官微消息，江蘇省鹽城市建湖縣舉行重大產(chǎn)業(yè)項目推進暨北一半導體功率器件項目開工活動。 source：建湖發(fā)布 據(jù)悉，北一第三代半導體功率器件項目總投資10億元，分兩期實施。項目全部投產(chǎn)后，可年產(chǎn)半導體器件125萬件，年可實現(xiàn)開票銷售15億元，稅收1.2億元。...  [詳內(nèi)文]

成本可降低10%，日本推碳化硅襯底新技術
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 14:20 | 分類 功率
據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道，日本中央硝子（Central Glass）開發(fā)出了用于功率半導體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術。 據(jù)介紹，中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來制造SiC襯底的技術。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長（升華法）的傳統(tǒng)技術相比，液相法在增大襯底...  [詳內(nèi)文]

意法半導體2025年碳化硅將全面升級為8英寸
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 14:17 | 分類 企業(yè)
6月28日，據(jù)韓媒報道，意法半導體（ST）將從明年第三季度開始將其碳化硅（SiC）功率半導體生產(chǎn)工藝從6英寸升級為8英寸。該計劃旨在提高產(chǎn)量和生產(chǎn)率，以具有競爭力的價格向市場供應SiC功率半導體。 意法半導體功率分立與模擬產(chǎn)品部副總裁Francesco Muggeri近日接受記者...  [詳內(nèi)文]

14.5億！安世半導體將新建8英寸SiC和GaN產(chǎn)線
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 28 日 16:37 | 分類 企業(yè)
6月27日，半導體制造商Nexperia（安世半導體）宣布，計劃投資2億美元（約合人民幣14.5億元）開發(fā)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等下一代寬帶隙半導體（WBG），并在德國漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎設施。 同時，硅（Si）二極管和晶體管的晶圓廠產(chǎn)能也將增加。這些投資是與漢堡經(jīng)濟...  [詳內(nèi)文]

直擊深圳國際半導體展：42家三代半廠商亮點一覽
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 28 日 12:57 | 分類 展會
6月26日，為期三天的SEMI-e 2024第六屆深圳國際半導體展在深圳國際會展中心開幕。本屆展會特設三館六大區(qū)，覆蓋包括芯片設計、晶圓制造與封裝、半導體專用設備與零部件、先進材料、第三代半導體/IGBT、汽車半導體為主的半導體產(chǎn)業(yè)鏈。 集邦化合物半導體走訪發(fā)現(xiàn)，本屆SEMI-...  [詳內(nèi)文]

碳化硅新應用，熱電池轉換效率創(chuàng)新高
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:33 | 分類 功率
長時間電網(wǎng)級儲能將出現(xiàn)新的解方。美國密西根大學開發(fā)的熱電池，其熱能轉換器效率達到44%，表現(xiàn)也優(yōu)于常見的蒸汽渦輪機，其平均效率為35%。 太陽能、風力發(fā)電成本雖然快速下跌，但是只有再生能源價格下降還不夠，因為綠能為間歇性能源，日落或是沒有風的時候，還是需要“電池“等儲能系統(tǒng)輔助，...  [詳內(nèi)文]

120億+15億，國內(nèi)2個8英寸碳化硅項目迎來新進展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:05 | 分類 功率
近日，士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目在海滄正式開工。 該項目總投資120億元，建設一條以SiC-MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線，建成后將形成年產(chǎn)72萬片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。 該項目分兩期建設，其中，一期項目總投資70億...  [詳內(nèi)文]

SiC半導體設備與基材生產(chǎn)基地項目簽約落戶湖南株洲
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 25 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
6月24日，湖南省功率半導體產(chǎn)業(yè)對接會暨功率半導體行業(yè)聯(lián)盟第八屆發(fā)展戰(zhàn)略高峰論壇在株洲舉行。 會上，4個功率半導體項目現(xiàn)場簽約，分別為特種變壓器智能制造基地項目、SiC半導體設備與基材生產(chǎn)基地、沃坦科通信連接器項目、功率半導體基板批量制造基地項目。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 其...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET正式量產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 25 日 18:00 | 分類 企業(yè)
作為一家聚焦于SiC半導體領域的芯片廠商，瞻芯電子致力于開發(fā)SiC功率器件、驅動和控制芯片、SiC功率模塊產(chǎn)品，并圍繞SiC功率半導體應用，為客戶提供一站式芯片解決方案。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，瞻芯電子在國內(nèi)較早自主開發(fā)并掌握了6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平...  [詳內(nèi)文]

“科創(chuàng)板八條”發(fā)布，第三代半導體現(xiàn)2起并購
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 24 日 18:00 | 分類 企業(yè)
除了技術研發(fā)實力、資金等方面，利好政策扶持也是企業(yè)實現(xiàn)良性發(fā)展不可或缺的重要保障。6月19日，證監(jiān)會發(fā)布《關于深化科創(chuàng)板改革 服務科技創(chuàng)新和新質生產(chǎn)力發(fā)展的八條措施》（以下簡稱《八條措施》），其中第四條措施為更大力度支持并購重組。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 具體來看，第四條措施...  [詳內(nèi)文]