6月26日，據(jù)建湖發(fā)布官微消息，江蘇省鹽城市建湖縣舉行重大產(chǎn)業(yè)項目推進暨北一半導體功率器件項目開工活動。
source：建湖發(fā)布
據(jù)悉，北一第三代半導體功率器件項目總投資10億元，分兩期實施。項目全部投產(chǎn)后，可年產(chǎn)半導體器件125萬件，年可實現(xiàn)開票銷售15億元，稅收1.2億元。
官微資料顯示，北一半導體成立于2017年，總部位于深圳市，生產(chǎn)基地位于黑龍江省穆棱市，是一家專注于Si基、SiC基功率半導體芯片及模塊研發(fā)、模塊生產(chǎn)、銷售的廠商。北一半導體目前在研產(chǎn)品包括精細溝槽柵IGBT芯片、溝槽柵SiC?MOSFET芯片、雙面散熱模塊等，產(chǎn)品廣泛應用于工業(yè)變頻、感應加熱、新能源汽車、風電及光伏領(lǐng)域。
SiC業(yè)務方面，2018年，北一半導體成立SiC芯片開發(fā)項目組，進行SiC二極管及MOSFET芯片調(diào)研規(guī)劃；2019年，其1200V 20A SiC JBS二極管產(chǎn)出，可靠性通過工業(yè)級考核，1200V 40mΩ MOSFET芯片工程批流片；2021年，其1200V SiC JBS二極管及MOSFET分立器件在電源領(lǐng)域獲得批量訂單；2022年，北一半導體完成1200V等級SiC MPS芯片開發(fā)，浪涌電流達到12倍額定電流，新能源汽車用750V、1200V等級IGBT及SiC模塊獲小批量訂單；2023年，北一半導體完成650V及1200V溝槽柵SiC MOSFET芯片設計。
項目方面，2023年1月，北一半導體新建二期廠房正式全面投入使用。二期占地面積超過12500平米，產(chǎn)能進一步擴大，能夠滿足HPD模塊、IGBT模塊、PIM模塊、IPM模塊、SiC模塊大量生產(chǎn)條件。
隨著北一半導體本次開工的新項目建成達產(chǎn)，其SiC功率器件產(chǎn)能有望再上一個臺階（集邦化合物半導體Zac整理）
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