相關(guān)資訊：SiC碳化硅

新加坡迎來一條8英寸碳化硅相關(guān)產(chǎn)線，亞洲第三代半導(dǎo)體競賽再升級
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 27 日 15:48 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，#新加坡科技研究局（A-STAR）宣布啟動全球首條200毫米（8英寸）碳化硅（SiC）工業(yè)級開放研發(fā)生產(chǎn)線。 圖片來源：A-STAR圖為A-STAR首席執(zhí)行官 Beh Kian Teik? 該生產(chǎn)線由ASTAR微電子研究所（IME）運營，整合了從材料生長、缺陷分析到器件制...  [詳內(nèi)文]

株洲中車8英寸SiC產(chǎn)線披露最新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 26 日 15:24 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月21日，株洲中車董事長李東林在“先進軌道交通行業(yè)專場”說明會上透露了公司在碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)的最新進展。 株洲中車正加快8英寸碳化硅產(chǎn)線建設(shè)，其中三期8英寸SiC晶圓項目已于2024年11月啟動，計劃2025年5月完成主體廠房封頂，年底前實現(xiàn)整線貫通。公司現(xiàn)有的6英寸SiC...  [詳內(nèi)文]

英偉達攜手納微升級電源架構(gòu)，氮化鎵和碳化硅發(fā)揮核心作用
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 23 日 16:31 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
當?shù)貢r間5月21日，納微半導(dǎo)體宣布與英偉達達成戰(zhàn)略合作，共同開發(fā)基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的800V高壓直流（HVDC）電源架構(gòu)，該技術(shù)將率先應(yīng)用于英偉達下一代AI數(shù)據(jù)中心及Rubin Ultra計算平臺。 圖片來源：納微半導(dǎo)體 當前數(shù)據(jù)中心普遍采用54V低壓配...  [詳內(nèi)文]

小米YU7強勢登陸，搭載800V碳化硅高壓平臺！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 23 日 16:21 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月22日，小米在其15周年戰(zhàn)略新品發(fā)布會上正式發(fā)布了旗下首款中大型豪華高性能SUV——小米YU7。 圖片來源：小米YU7 據(jù)悉，小米YU7有三個版型–標準版、Pro版和Max版，依舊全系長續(xù)航。作為小米汽車的第二款車型，YU7系列憑借其全系搭載的800V碳化硅高壓...  [詳內(nèi)文]

55億元碳化硅產(chǎn)業(yè)園項目落地內(nèi)蒙古
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 21 日 15:28 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，內(nèi)蒙古自治區(qū)通遼市庫倫旗迎來一項重大投資項目——總投資達55億元的#碳化硅產(chǎn)業(yè)園項目。該項目由通遼市政協(xié)積極推動，并已于5月15日由庫倫旗人民政府與中科復(fù)材（吉林）科技有限公司正式簽署合作協(xié)議。 圖片來源：內(nèi)蒙古自治區(qū)政協(xié) 該碳化硅產(chǎn)業(yè)園項目規(guī)劃占地270畝，將分三期滾動...  [詳內(nèi)文]

英飛凌宣布兩項合作，助力電能突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 21 日 15:24 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，媒體報道英飛凌兩項電源領(lǐng)域合作。 5月20日，英飛凌公司表示，將與英偉達合作開發(fā)下一代電源系統(tǒng)，以革新未來人工智能數(shù)據(jù)中心所需的電力傳輸架構(gòu)。英飛凌表示，該全新系統(tǒng)架構(gòu)能顯著提升數(shù)據(jù)中心內(nèi)電能分配效率，并支持在服務(wù)器主板內(nèi)直接為AI芯片（圖形處理器GPU）進行電力轉(zhuǎn)換。 同...  [詳內(nèi)文]

晶馳機電：交付河北首臺12英寸碳化硅設(shè)備
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 20 日 15:46 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月18日，河北晶馳機電 有限公司（以下簡稱“晶馳機電”）舉行了河北省首臺（套）12寸電阻法高純碳化硅晶體生長爐交付儀式。 source：正定發(fā)布 據(jù)悉，晶馳機電此次交付的12寸電阻法高純碳化硅晶體生長爐采用了電阻式物理氣相傳輸（PVT）方法，通過創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)和熱場設(shè)計，結(jié)合先進...  [詳內(nèi)文]

比亞迪、斯達半導(dǎo)等8家企業(yè)公布最新SiC專利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 20 日 15:36 | 分類 企業(yè)
近期，碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域迎來了諸多創(chuàng)新突破，眾多企業(yè)紛紛在專利方面取得顯著成果。這些專利不僅涵蓋了材料生長、器件制造、加工工藝等多個環(huán)節(jié)，還體現(xiàn)了碳化硅技術(shù)在新能源汽車、電力電子、半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用前景。 1、比亞迪：優(yōu)化外延生長工藝設(shè)計 5月13日，比亞迪 獲得了一項...  [詳內(nèi)文]

事關(guān)碳化硅，中電三公司中標多個重點項目
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 16 日 14:22 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
“中電三公司”官微消息，近期中電三公司 在半導(dǎo)體等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)斬獲多個重點項目，涉及碳化硅等領(lǐng)域，包括廈門士蘭集宏項目CUB機電安裝工程、武漢化合物半導(dǎo)體孵化加速及制造基地項目（EPC）。 其中，廈門士蘭集宏項目CUB機電安裝工程 項目總投資120億元，位于廈門市海滄區(qū)，中電三公司...  [詳內(nèi)文]

華為布局SiC超充賽道！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 16 日 14:20 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，華為數(shù)字能源正式發(fā)布兆瓦級全液冷超充解決方案，透露該方案搭載自主研發(fā)的SiC芯片，能量密度是傳統(tǒng)硅基器件的3倍。 據(jù)悉，華為數(shù)字能源的兆瓦超充方案最大充電電流為2400安，最大功率達1.44兆瓦，每分鐘可以補能約20度電，15分鐘內(nèi)即可補能350度電，補能效率提升近4倍。據(jù)...  [詳內(nèi)文]