近幾年，國星光電聚焦Mini/Micro LED超高清顯示領域，加速布局第三代半導體等前瞻領域賽道，著力攻克關鍵核心技術，形成了多項自主知識產權。
4月27日，國星光電發(fā)布公告稱，公司于近日收到國家知識產權局頒發(fā)的9項發(fā)明專利證書，包括6項涉及Mini/Micro LED技術領域專利、3項涉及第三代半導體技術領域專利。
涉及Mini/Micro LED技術領域的6項專利中，“一種量子點發(fā)光器件及其制造方法”的發(fā)明專利，是國星光電繼成功開發(fā)出高一致性像素化量子點色轉換彩膜制備技術、攜手華南理工大學成功研制行業(yè)最高發(fā)光效率的量子點LED器件2項技術突破后，在Mini/Micro LED領域量子點技術攻關中取得的又一科研成果。
國星光電表示，本次取得的6項專利的相關技術方案，可以提高超高清顯示產品的集成度，優(yōu)化及簡化線路結構設計，提升制程及封裝良率，形成成熟的封裝技術路線，確保顯示效果的一致性，提升用戶的觀看體驗。
涉及第三代半導體領域的3項發(fā)明專利，可提升產品散熱效率，延長器件的使用壽命，更好地保障器件穩(wěn)定性，同時兼具良好的絕緣性能及抗壓能力，產品可根據(jù)實際需求進行多樣化設計，靈活性非常強。
國星光電稱，公司積極拓寬第三代半導體業(yè)務新賽道，致力于打造高可靠性、高品質的功率器件封測業(yè)務，目前在上游芯片領域布局有硅基氮化鎵的外延芯片技術儲備，中游封裝領域已建成第三代半導體功率器件實驗室及試產線。
國星光電表示，本次獲取的專利體現(xiàn)了公司正持續(xù)推進第三代半導體的研究開發(fā)和技術成果轉化，為公司打造具備高可靠性、高品質優(yōu)勢的“第三代半導體功率器件封測企業(yè)”奠定堅實技術基礎。
上述專利的取得彰顯了國星光電在相關領域核心技術方面取得重要進展，相關專利的獲得雖不會對公司近期生產經營產生重大影響，但對公司的工藝改進、產品創(chuàng)新、市場及品牌影響力提升等方面有積極的影響，有助于增強公司的核心競爭力。（LEDinside整理）
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