近日，中鎵半導體與北京大學、波蘭國家高壓實驗室開展了合作，使用乙烯氣源制備出了世界最高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底。
實驗使用乙烯氣源制備了半絕緣GaN襯底，并對制備得到的GaN材料進行了表征，證明了乙烯氣源的摻雜效率比傳統(tǒng)甲烷氣源高40倍。在相同測試溫度下比較了現有報道的半絕緣襯底參數，使用乙烯制備的其中一個半絕緣氮化鎵樣品達到了目前報道的最高GaN體電阻率。
圖片來源：拍信網正版圖庫
據悉，中鎵半導體有限公司成立于2009年1月，總注冊資本1億3千萬元。公司總部位于廣東省東莞市，廠房總占地面積1萬7千平方米，是國內首家專業(yè)研發(fā)、生產氮化鎵襯底材料的企業(yè)。
值得注意的是，今年2月，公司成功地將2英寸氮化鎵自支撐襯底產品的位錯密度降低到了4×105 cm-2 到 7×105 cm-2范圍，并且新產品已開始量產銷售。（文：集邦化合物半導體 Doris整理）
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