三安半導(dǎo)體、士蘭等三代半項(xiàng)目成2023福建省重點(diǎn)

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 01 月 30 日 9:55 | 分類 碳化硅SiC

日前,福建省發(fā)展和改革委員會(huì)印發(fā)2023年度省重點(diǎn)項(xiàng)目名單,2023年度省重點(diǎn)項(xiàng)目1580個(gè),總投資4.09萬億元,年度計(jì)劃投資6480億元。

省在建重點(diǎn)項(xiàng)目中,包括廈門士蘭12英寸特色工藝半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、南安三安半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、廈門海滄區(qū)士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、上杭晶旭半導(dǎo)體2英寸化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)項(xiàng)目等第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目。

廈門士蘭12英寸特色工藝半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目

據(jù)消息,項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資170億元,在廈門海滄建設(shè)兩條 12 英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線。

總建筑面積約 25 萬平方米,總投資 70 億元,分二期建成。項(xiàng)目一期建成達(dá)產(chǎn)后年銷售額將超過 10 億元。二期項(xiàng)目建成后,預(yù)計(jì)年生產(chǎn)總值可達(dá) 40 億 -50 億元。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

南安三安半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目

據(jù)此前披露消息,項(xiàng)目總投資約333億(含公共配套設(shè)施投資),全部項(xiàng)目計(jì)劃五年內(nèi)實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)、七年內(nèi)達(dá)產(chǎn),經(jīng)營期限不少于25年,達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年銷售收入270億元。

項(xiàng)目具體包括七大產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目:高端氮化鎵 LED襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目;高端砷化鎵 LED 外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目;大功率氮化鎵激光器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目;光通訊器件的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目;射頻、濾波器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目;功率型半導(dǎo)體(電力電子)的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目;特種襯底材料研發(fā)與制造、特種封裝產(chǎn)品應(yīng)用研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。項(xiàng)目在2022年就入選了泉州市重點(diǎn)項(xiàng)目。

廈門海滄區(qū)士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目

士蘭明鎵于2022年7月啟動(dòng)化合物半導(dǎo)體第二期建設(shè)項(xiàng)目,即“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”。項(xiàng)目計(jì)劃投資15億元,建設(shè)一條6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線,最終形成年產(chǎn)14.4萬片6英寸SiC功率器件芯片的產(chǎn)能,其中SiC-MOSFET芯片12萬片/年、SiC-SBD芯片2.4萬片/年。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理)

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