這兩個SiC設備廠獲新突破

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 05 月 12 日 17:50 | 分類 碳化硅SiC

近日,國產(chǎn)化合物半導體設備產(chǎn)業(yè)傳來兩個好消息:北京爍科中科信宣布特種離子注入機順利交付,粵升半導體宣布成功研發(fā)SiC外延設備。

北京爍科中科信

今日,北京爍科中科信宣布不特種離子注入機順利交付。就在4月,公司宣布北京總公司和長沙分公司實現(xiàn)12臺離子注入機先后順利交付,同比增長300%。一季度新簽合同再創(chuàng)新高,合同總額突破3.5億元,同比增長21%。

日前,爍科中科信大基金二期入股了爍科中科信,持股比例為8%。當前,爍科中科信已獲得大基金二期、中信建投資本、博時資本、中芯聚源等知名投資機構(gòu)的投資。

在芯片制造過程中,需要摻入不同種類的元素按預定方式改變材料的電性能,這些元素以帶電離子的形式被加速至預定能量并注入至特定半導體材料中,離子注入機就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設備。

根據(jù)離子束電流和束流能量范圍,離子注入機可分為三大類:中低束流離子注入機、低能大束流離 子注入機、高能離子注入機。另外還有用于注入氧的氧注入機,或者注入氫的氫離子注入機等。
離子注入機是芯片制造中的關鍵裝備。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

粵升半導體

昨日,廣州粵升半導體設備有限公司宣布其自主研發(fā)的4/6吋SiC外延設備,已無故障連續(xù)穩(wěn)定運行近300小時,生長的4/6吋SiC外延片質(zhì)量均達到國際先進水平,滿足MOSFET和SBD器件的制備要求。
粵升半導體成立于2021年,專注于SiC外延設備、單晶設備的研發(fā)和生產(chǎn)。(文:集邦化合物半導體 Arely整理)

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