科友6/8英寸SiC規(guī)?;a(chǎn)再進(jìn)一步

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 05 月 12 日 17:50 | 分類 碳化硅SiC

今日,科友半導(dǎo)體宣布其6/8英寸碳化硅規(guī)?;a(chǎn)取得了重大技術(shù)突破。

公司自主研發(fā)出兩種不同加熱方式的PVT法晶體生長爐,完成了國產(chǎn)自主1至4代感應(yīng)爐和1至3代電阻爐的研發(fā),形成大尺寸低成本碳化硅產(chǎn)業(yè)化制備系列技術(shù)。

實現(xiàn)了6英寸碳化硅單晶襯底的規(guī)模生產(chǎn)和批量供貨,8英寸碳化硅單晶襯底的小批量生產(chǎn)及供貨,向碳化硅晶體生長企業(yè)提供涵蓋設(shè)備、材料及技術(shù)服務(wù)等全產(chǎn)業(yè)鏈的解決方案。突破如下:

熱場及耗材國產(chǎn)化率達(dá)到95%以上;

長晶良率達(dá)到80%以上,晶體厚度達(dá)到40mm以上;

打破傳統(tǒng)碳化硅粘接籽晶技術(shù)的限制;

突破了大尺寸8英寸碳化硅單晶制備的關(guān)鍵技術(shù);

具備超強(qiáng)的兼容性;

已申請專利129項,目前授權(quán)專利61項。

Source:科友半導(dǎo)體

據(jù)了解,科友半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)一期工程已投入生產(chǎn),該項目總投資10億元,目前已安裝100臺長晶爐,全部達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)10萬片6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)能力。二期工程將于近期開工建設(shè),建成后將實現(xiàn)年產(chǎn)導(dǎo)電型碳化硅襯底15萬片。

按照發(fā)展規(guī)劃,未來兩年科友半導(dǎo)體將實現(xiàn)年產(chǎn)20~30萬片碳化硅襯底的產(chǎn)能,成為全球碳化硅襯底重要供應(yīng)商之一。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理)

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