易達通GaN功率元件能源轉(zhuǎn)換效率已超92%

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 12 月 12 日 17:45 | 分類 功率

近日據(jù)報道,IDM創(chuàng)企易達通科技已推出多款氮化鎵(GaN)功率IC,采用藍寶石襯底及LED制程,獲得全球三大LED集團青睞,其中2家已下單。執(zhí)行長林仕國表示,GaN具有寬能隙、高電壓驅(qū)動及耐高溫特性,搭載藍寶石襯底可制造各種功率元件,采用碳化硅(SiC)襯底則可制造射頻元件。

據(jù)悉,易達通旗下有4英寸晶圓代工廠威力富,可以生產(chǎn)GaN-on-SiC 射頻元件及GaN-on-Si和GaN-on-Sapphire功率元件。目前,易達通已完成射頻元件設(shè)計并推出產(chǎn)品,將與相關(guān)企業(yè)合作。林仕國表示,用于軍工雷達的X band PA,使用GaN-on-SiC制程,技術(shù)更先進,易達通也已完成設(shè)計進入生產(chǎn)階段。林仕國分析,朝GaN轉(zhuǎn)型是傳統(tǒng)LED業(yè)的新藍海,億光就是轉(zhuǎn)型成功的典范。

易達通在GaN電源應(yīng)用的布局,首先切入Power Adapter,已推出65/140W產(chǎn)品,近期240/360W將上市。據(jù)林仕國介紹,在減碳趨勢下,美國能源部規(guī)定2025年起能源轉(zhuǎn)換效率不得低于90.2%,歐洲目前已要求供應(yīng)商要達92%,易達通GaN功率元件能源轉(zhuǎn)換效率已超越歐洲標準并接近93%。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

以GaN等為代表的第三代半導體,近年來在新能源汽車、光儲充、5G通訊、激光雷達等應(yīng)用領(lǐng)域大放異彩,市場需求持續(xù)增長。根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導體市場分析報告》顯示,全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金,復合增長率高達65%。

今年以來,GaN市場熱度居高不下,各大廠商動作頻頻。3月2日,功率半導體龍頭廠商英飛凌宣布擬以8.3億美元(約60億元人民幣)收購加拿大GaN氮化鎵芯片頭部廠商GaN Systems。10月24日,這項交易正式完成,也意味著GaN Systems自此正式并入英飛凌,雙方強強聯(lián)手有利于更好的拓展市場。

此外,上個月,譽鴻錦半導體二期產(chǎn)業(yè)園項目廠房舉行了主體結(jié)構(gòu)封頂儀式,這標志著該公司GaN Super IDM全產(chǎn)業(yè)鏈的布局與建設(shè)取得重大進展。

該項目于2022年7月正式開工建設(shè),主體結(jié)構(gòu)提前1個月完成里程碑工期,二次結(jié)構(gòu)已提前施工,首條批量線預計于2024年底前建成,月產(chǎn)能為6-7萬片。項目全部建成投產(chǎn)后,每月產(chǎn)能將達到25萬片,屆時有望成為全球最大的GaN IDM工廠。(集邦化合物半導體Zac整理)

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