12月12日，大連創(chuàng)銳光譜科技有限公司（下文簡稱“創(chuàng)銳光譜”）官微發(fā)文稱，公司近日在碳化硅（SiC）襯底晶圓位錯(cuò)缺陷的無損光學(xué)檢測技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展，并將同步推出SiC襯底晶圓位錯(cuò)無損檢測專用設(shè)備:SIC-SUB-9900。
據(jù)介紹，該設(shè)備基于瞬態(tài)激發(fā)和散射光譜原理，采用大面積光學(xué)成像，實(shí)現(xiàn)了SiC襯底晶圓位錯(cuò)缺陷的高速、精準(zhǔn)、非接觸式的無損光學(xué)檢測。結(jié)合AI識(shí)別，可對(duì)襯底晶圓中的BPD、TSD、TED等缺陷實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的識(shí)別和分類（以目前行業(yè)中廣泛應(yīng)用的堿液腐蝕法的結(jié)果為參照，識(shí)別準(zhǔn)確率達(dá)到90%以上）。
與現(xiàn)有的XRT(X光形貌分析)技術(shù)相比，該檢測技術(shù)具有操作簡單、檢測速度快、性價(jià)比高等顯著優(yōu)勢。與非線性光學(xué)檢測中的點(diǎn)掃描模式相比，該設(shè)備中采用的大面積成像的方式，極大地提高了檢測速度：以6吋晶圓樣品為例，最快檢測時(shí)間小于17分鐘！
SiC襯底晶圓的BPD、TSD、TED等位錯(cuò)缺陷的數(shù)量和分布是反映襯底質(zhì)量的重要參數(shù)。襯底中的位錯(cuò)缺陷可進(jìn)一步延伸到外延層中，對(duì)外延層的質(zhì)量及最終的芯片良率產(chǎn)生巨大的影響。因此對(duì)襯底中的位錯(cuò)缺陷進(jìn)行精準(zhǔn)的檢測、識(shí)別和統(tǒng)計(jì)是襯底晶圓生產(chǎn)中極為重要的環(huán)節(jié)。
據(jù)悉，創(chuàng)銳光譜創(chuàng)立于2016年，基于自主技術(shù)，深耕科學(xué)儀器和半導(dǎo)體材料檢測兩大應(yīng)用領(lǐng)域，已實(shí)現(xiàn)從基礎(chǔ)研究到工業(yè)生產(chǎn)的全產(chǎn)業(yè)鏈賦能。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
今年3月，創(chuàng)銳光譜SiC晶圓質(zhì)量大面積成像系統(tǒng)SiC-MAPPING532達(dá)到持續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行標(biāo)準(zhǔn)，正式下線發(fā)運(yùn)行業(yè)知名客戶。該設(shè)備為國際首臺(tái)套基于瞬態(tài)光譜技術(shù)的第三代半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備，不僅實(shí)現(xiàn)了相關(guān)技術(shù)的全自主國產(chǎn)化替代，在各種技術(shù)指標(biāo)上也全面超越進(jìn)口同類產(chǎn)品。
5月，創(chuàng)銳光譜宣布完成數(shù)千萬元天使輪融資，由君聯(lián)資本獨(dú)家投資。本輪融資將用于精密科學(xué)儀器和半導(dǎo)體檢測光譜新技術(shù)的開發(fā)和多款檢測設(shè)備規(guī)?；慨a(chǎn)。
除了創(chuàng)銳光譜，近期國產(chǎn)半導(dǎo)體檢測設(shè)備有關(guān)融資、推新和產(chǎn)品交付的新聞也是接連不斷：
11月，中導(dǎo)光電的納米級(jí)圖形晶圓缺陷光學(xué)檢測設(shè)備（NanoPro-150）實(shí)現(xiàn)了再次交付。
不久前，半導(dǎo)體光學(xué)量檢設(shè)備廠商蓋澤科技宣布完成了新一輪千萬級(jí)別融資。
此外，半導(dǎo)體前道量測設(shè)備廠商優(yōu)睿譜，近日成功推出SiC晶圓電阻率量測設(shè)備SICV200，并且同時(shí)發(fā)布兩家客戶。
以上這些國內(nèi)半導(dǎo)體檢測設(shè)備廠商的消息頻增，從側(cè)面體現(xiàn)出國內(nèi)半導(dǎo)體市場對(duì)國產(chǎn)半導(dǎo)體檢測設(shè)備的重視程度和認(rèn)可度在逐步提高。由于半導(dǎo)體檢測設(shè)備的作用幾乎貫穿終端產(chǎn)品的整個(gè)生產(chǎn)流程，且設(shè)備成本占比不低，但長期以來外國進(jìn)口，這對(duì)于快速增長的國內(nèi)半導(dǎo)體市場有著諸多不便。無論是出于國際局勢的考量還是國際大廠的產(chǎn)能限制，半導(dǎo)體檢測設(shè)備本土化是一個(gè)必然的趨勢。
來源：創(chuàng)銳光譜、集邦化合物半導(dǎo)體整理
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