近日，多個第三代半導(dǎo)體項目迎來最新進(jìn)展。其中，重投天科第三代半導(dǎo)體項目、山東菏澤砷化鎵半導(dǎo)體晶片項目投資資金超30億。
總投資32.7億元，重投天科第三代半導(dǎo)體項目在深圳寶安啟用
據(jù)濱海寶安消息，2月27日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳寶安區(qū)啟用，其由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司建設(shè)運(yùn)營，將進(jìn)一步補(bǔ)強(qiáng)深圳第三代半導(dǎo)體“虛擬全產(chǎn)業(yè)鏈（VIDM）”，助力廣東打造國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展“第三極”。
濱海寶安消息顯示，該項目2021年11月開工建設(shè)，2022年11月關(guān)鍵生產(chǎn)區(qū)域廠房結(jié)構(gòu)封頂，2023年6月襯底產(chǎn)線正式進(jìn)入試運(yùn)行階段。
第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地總投資32.7億元，是廣東省和深圳市重點(diǎn)項目，深圳全球招商大會重點(diǎn)簽約項目。其中，圍繞生產(chǎn)襯底和外延等制造芯片的基礎(chǔ)材料，該項目重點(diǎn)布局了6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線，預(yù)計今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬片，將有效解決下游客戶在軌道交通、新能源汽車、分布式新能源、智能電網(wǎng)、高端電源、5G通訊、人工智能等重點(diǎn)領(lǐng)域的碳化硅器件產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的原材料基礎(chǔ)保障和供應(yīng)瓶頸，為深圳及廣東本地龍頭企業(yè)長期提供穩(wěn)定可靠足量的襯底及外延材料，以加快推動全產(chǎn)業(yè)鏈核心技術(shù)自主可控和量產(chǎn)原材料保障。
未來，重投天科還將設(shè)立大尺寸晶體生長和外延研發(fā)中心，并與本地重點(diǎn)實驗室在儀器設(shè)備共享及材料領(lǐng)域開展合作，與重點(diǎn)裝備制造企業(yè)加強(qiáng)晶體加工領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新合作，聯(lián)動下游龍頭企業(yè)在車規(guī)器件、模組研發(fā)等工作上聯(lián)合創(chuàng)新，并助力深圳提升8英寸襯底平臺領(lǐng)域研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化制造技術(shù)水平。
35億元，山東菏澤砷化鎵半導(dǎo)體晶片項目開工
菏澤市牡丹區(qū)吳店鎮(zhèn)消息顯示，2月26日，吳店鎮(zhèn)舉辦2024年春季吳店鎮(zhèn)省重點(diǎn)項目建設(shè)現(xiàn)場推進(jìn)會暨砷化鎵半導(dǎo)體晶片項目開工奠基儀式。
據(jù)悉，菏澤市牡丹區(qū)砷化鎵半導(dǎo)體項目，是由山東水發(fā)聯(lián)合臺灣半導(dǎo)體龍頭企業(yè)共同投資建設(shè)，項目總投資35億元，計劃分兩期實施。一期工程計劃投資15億元，建設(shè)4/6英寸砷化鎵生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)砷化鎵半導(dǎo)體面射型鐳射VCSEL產(chǎn)品，年產(chǎn)芯片6萬片。建設(shè)期1.5年，預(yù)計2025年7月試生產(chǎn)。
二期工程計劃投資20億元，建設(shè)4/6英寸第三代化合物半導(dǎo)體氮化鎵GaN和碳化硅SiC生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件及耐高壓新能源汽車逆變器，以滿足多元化市場需求。二期工程計劃2026年下半年開工建設(shè)，預(yù)計2028年上半年投產(chǎn)。
譜析光晶1億元SiC芯片項目簽約浙江
近日，浙江省杭州市蕭山區(qū)瓜瀝鎮(zhèn)舉行推進(jìn)新型工業(yè)化暨項目開工簽約大會，會上集中簽約開工的18個項目總投資超20億元，涉及半導(dǎo)體芯片、集成電路設(shè)計與組件等領(lǐng)域。其中新簽約項目包含譜析光晶投資的年產(chǎn)10萬臺第三代半導(dǎo)體芯片與系統(tǒng)生產(chǎn)基地項目，該項目計劃總投資1億元。
據(jù)悉，譜析光晶主要生產(chǎn)基于第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）等的驅(qū)動系統(tǒng)與模組，應(yīng)用在電動汽車電控模組等超高可靠性要求領(lǐng)域。該公司具備從芯片級到模塊級再到系統(tǒng)級的優(yōu)化和生產(chǎn)能力。此前報道，譜析光晶自2020年成立以來，每年的營收增長率在300%以上，2023年公司實現(xiàn)營收8000萬元，在手訂單3億元，預(yù)期2024年營收超過2億元，計劃在2025年申報IPO。
產(chǎn)品方面，譜析光晶已批量出產(chǎn)數(shù)款1200V、30毫歐以內(nèi)的高端SiC SBD和車規(guī)級MOS芯片。業(yè)務(wù)方面，2023年9月25日，譜析光晶、乾晶半導(dǎo)體與綠能芯創(chuàng)簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同開發(fā)及驗證應(yīng)用于特殊領(lǐng)域的SiC相關(guān)產(chǎn)品，并簽訂了5年內(nèi)4.5億元的意向訂單。隨著本次項目建成達(dá)產(chǎn)，譜析光晶SiC芯片產(chǎn)能有望再上一個臺階。
14.7億，賽達(dá)半導(dǎo)體年產(chǎn)30萬片SiC外延項目啟動
近日，賽達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱賽達(dá)半導(dǎo)體）碳化硅（SiC）外延項目環(huán)評消息公示。
公告顯示，該項目總投資約14.7億元，占地面積11979m2，總建筑面積7887m2，將租賃長城汽車徐水分公司原有廠房和空地（華訊廠房），形成公司生產(chǎn)和研發(fā)廠房。項目擬購置外延設(shè)備、測試設(shè)備、清洗設(shè)備等主要生產(chǎn)、研發(fā)和附屬設(shè)備，先期產(chǎn)能1.5萬片/年，2027年規(guī)劃產(chǎn)能為30萬片/年。
天眼查資料顯示，賽達(dá)半導(dǎo)體成立于2023年10月，由穩(wěn)晟科技（天津）有限公司全資持股，后者控股股東、實控人為長城汽車董事長魏建軍。
早在2023年5月，長城控股招標(biāo)中心便發(fā)文稱已啟動“精工自動化SiC外延廠房改造設(shè)計項目”；2023年9月，該項目落戶河北省保定市徐水經(jīng)開區(qū)，簽約方為穩(wěn)晟科技（天津）有限公司，主建方則為賽達(dá)半導(dǎo)體。
總投資20億，新華錦第三代半導(dǎo)體碳材料產(chǎn)業(yè)園項目落戶山東
2月21日，山東省平度市舉行2024年重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項目春季集中簽約活動，48個項目集中簽約，其中就包括新華錦第三代半導(dǎo)體碳材料產(chǎn)業(yè)園項目。
據(jù)了解，新華錦第三代半導(dǎo)體碳材料產(chǎn)業(yè)園項目位于平度市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，項目由新華錦集團(tuán)投資建設(shè)，總投資20億元，主要建設(shè)年產(chǎn)5000噸半導(dǎo)體用細(xì)顆粒等靜壓石墨和1000噸半導(dǎo)體用多孔石墨生產(chǎn)基地。青島是國內(nèi)石墨資源的主產(chǎn)地之一。根據(jù)新華錦集團(tuán)官方資料，集團(tuán)在平度收購了兩個石墨礦。近年來，集團(tuán)與中國科學(xué)院山西煤化所合作建設(shè)了高性能等靜壓石墨和特種多孔石墨項目，生產(chǎn)的產(chǎn)品是第三代半導(dǎo)體碳化硅長晶用的核心基礎(chǔ)石墨材料，經(jīng)過國家石墨產(chǎn)品質(zhì)量檢驗中心權(quán)威部門認(rèn)證，在技術(shù)水平和產(chǎn)品性能上超越了進(jìn)口產(chǎn)品。
據(jù)了解，新華錦集團(tuán)是按照山東省政府“推進(jìn)省屬外貿(mào)企業(yè)改革重組”的戰(zhàn)略部署，由新華錦集團(tuán)有限公司聯(lián)合多家省級外貿(mào)企業(yè)組建的產(chǎn)業(yè)化、國際化、綜合性企業(yè)集團(tuán)。
石墨新材料板塊是新華錦集團(tuán)重點(diǎn)發(fā)展的業(yè)務(wù)板塊之一。除上述項目外，2023年11月，新華錦集團(tuán)旗下青島華錦新材料科技發(fā)展有限公司（以下簡稱“華錦新材”）正式點(diǎn)火投產(chǎn)。該項目主要生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體芯片用特種石墨材料，為國內(nèi)下游SiC半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展掃清基礎(chǔ)原材料障礙。
華錦新材是新華錦集團(tuán)與中國科學(xué)院山西煤化所技術(shù)轉(zhuǎn)化落地企業(yè)，專業(yè)生產(chǎn)大規(guī)格、細(xì)顆粒特種石墨材料產(chǎn)品，產(chǎn)品性能指標(biāo)國內(nèi)領(lǐng)先，主要應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體SiC襯底熱場領(lǐng)域、3D熱彎模具等。
近日，新華錦在投資者問答平臺表示，公司將集中精力和資源進(jìn)行石墨新材料產(chǎn)業(yè)布局，對內(nèi)通過自主研發(fā)、技術(shù)創(chuàng)新提高石墨產(chǎn)品附加值，打造一流的石墨精煉生產(chǎn)基地；對外將以石墨礦為起點(diǎn)，向下游積極探索和布局石墨在新材料領(lǐng)域的應(yīng)用，與科研機(jī)構(gòu)、專業(yè)院校開展技術(shù)合作與交流，與控股股東新華錦集團(tuán)在石墨新材料業(yè)務(wù)協(xié)同發(fā)展，通過外延式并購，建立多層次的石墨產(chǎn)品體系。
24萬片！普興電子6英寸SiC外延片項目啟動
2月26日，河北普興電子科技股份有限公司（以下簡稱“普興電子”）官網(wǎng)信息顯示，公司“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項目”進(jìn)行了第一次環(huán)境影響評價信息公示（以下簡稱公告）。
公告顯示，本項目總投資35070.16萬元，利用公司1#廠房進(jìn)行改擴(kuò)建，建筑面積約4000平米，購置碳化硅（SiC）外延設(shè)備及配套設(shè)備116臺（套）形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產(chǎn)線。項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn)24萬片SiC外延片的生產(chǎn)能力。
普興電子官網(wǎng)資料顯示，公司成立于2000年11月，致力于高性能半導(dǎo)體材料的外延研發(fā)和生產(chǎn)，是中電科半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱電科材料）控股子公司。普興電子的主要產(chǎn)品為各種規(guī)格型號的硅基外延片、氮化鎵（GaN）和SiC外延片，可廣泛應(yīng)用于清潔能源、新能源汽車、航空航天、汽車、計算機(jī)、平板電腦、智能手機(jī)、家電等領(lǐng)域。
近年來，電科材料下屬普興電子積極布局第三代半導(dǎo)體外延材料的研發(fā)生產(chǎn)，在2021年9月啟動了占地面積130畝的新外延材料產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)項目，并于2022年4月完成主廠房封頂，9月搬入首批生產(chǎn)、檢驗設(shè)備，11月即實現(xiàn)了首片硅外延和SiC外延下線，標(biāo)志著該產(chǎn)業(yè)基地正式進(jìn)入試生產(chǎn)和驗證階段。
據(jù)悉，2022年4月，普興電子還公示一項“6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項目”，本項目總投資18000萬元，租用同輝公司（隸屬于中電科十三所）現(xiàn)有廠房，采購SiC外延爐15臺及配套測試儀器等，建設(shè)完成1條6英寸SiC外延片批量生產(chǎn)線，實現(xiàn)年產(chǎn)6英寸SiC外延片6萬片的生產(chǎn)能力。
隨著6英寸低密度缺陷SiC外延片產(chǎn)業(yè)化項目落地實施，普興電子6英寸SiC外延片產(chǎn)能將得到較大提升，有助于公司進(jìn)一步深化第三代半導(dǎo)體外延材料領(lǐng)域布局。
這個8英寸SiC和GaN晶圓廠項目簽約福建
2月20日，在福州市可持續(xù)發(fā)展暨企業(yè)家大會主會場及長樂分會場，長樂區(qū)簽約落地16個重大項目，其中之一為天睿半導(dǎo)體項目。
資料顯示，福建天睿半導(dǎo)體有限公司成立于2023年2月，注冊資本50億人民幣，經(jīng)營范圍含電子元器件制造、批發(fā)，電力電子元器件銷售；電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備制造、銷售等。
據(jù)悉，天睿半導(dǎo)體項目將新建8英寸碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）晶圓廠，并通過產(chǎn)業(yè)并購和新建項目等方式布局第三代半導(dǎo)體襯底外延、晶圓制造、器件設(shè)計、系統(tǒng)應(yīng)用及相關(guān)設(shè)備生產(chǎn)等全產(chǎn)業(yè)鏈。項目落地后將為福州帶來先進(jìn)的SiC、GaN等領(lǐng)域生產(chǎn)研發(fā)經(jīng)驗，打造千億級第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。
值得一提的是，福州近日還新簽約兩個GaN項目，總投資額超10億元。其中之一為芯睿半導(dǎo)體GaN晶圓廠項目，由福建芯睿半導(dǎo)體有限公司建設(shè)。芯睿半導(dǎo)體成立于2023年12月，注冊資本50億人民幣，經(jīng)營范圍含電子元器件批發(fā)、電力電子元器件銷售、電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售、電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備制造、電子元器件制造等。
另外一個項目為福州鎵谷GaN外延片項目，由福州鎵谷半導(dǎo)體有限公司建設(shè)，主營第三代半導(dǎo)體的研發(fā)與生產(chǎn)，預(yù)計投入10億元，用地86畝，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能24萬片。鎵谷半導(dǎo)體成立于2022年7月，致力于第三代半導(dǎo)體材料GaN外延的研發(fā)與生產(chǎn)，產(chǎn)品包括硅基氮化鎵（GaN on Si）、碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）、藍(lán)寶石基氮化鎵（GaN on Sapphire），主要應(yīng)用于電力電子及功率器件。
來源：全球半導(dǎo)體觀察
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