2家企業(yè)SiC MOSFET通過車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 03 月 12 日 17:14 | 分類 企業(yè)

3月11日,瞻芯電子和蓉矽半導(dǎo)體均有SiC MOSFET產(chǎn)品通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。

瞻芯電子再推3款車規(guī)級(jí)第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

瞻芯電子表示,公司開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified)。瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET芯片,具備業(yè)界較低的損耗水平,且驅(qū)動(dòng)電壓為15V~18V,兼容性更好。

這3款產(chǎn)品導(dǎo)通電阻分別為25mΩ,40mΩ和60mΩ,且采用TO247-4封裝,可耐受-55°C ~175°C工作溫度,同時(shí)因TO247-4封裝具有開爾文源極引腳,而能顯著減小柵極驅(qū)動(dòng)電壓尖峰。這3款產(chǎn)品的型號(hào)及主要參數(shù)如下表:

source:瞻芯電子

瞻芯電子指出,公司旗下第二代SiC MOSFET產(chǎn)品與工藝平臺(tái)是依托浙江瞻芯電子SiC晶圓廠開發(fā)的, 自2023年9月份發(fā)布第一款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品以來,至今已有十幾款采用同代技術(shù)平臺(tái)的量產(chǎn)產(chǎn)品。瞻芯電子第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,對(duì)比上一代產(chǎn)品,通過優(yōu)化柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì),讓器件的比導(dǎo)通電阻降低約25%,能進(jìn)一步降低器件損耗,提升系統(tǒng)效率。

瞻芯電子采用TO247-4封裝的車規(guī)級(jí)第二代650V SiC MOSFET系列產(chǎn)品,因其具備高速開關(guān),且低損耗,以及良好的驅(qū)動(dòng)兼容性等優(yōu)秀特性,而能為功率變換系統(tǒng)提供高頻、高效率的解決方案,主要適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器、車載直流變換器(DC/DC)、車載充電機(jī)(OBC)和開關(guān)電源。

蓉矽半導(dǎo)體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)考核和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性驗(yàn)證

蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核,同時(shí)通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測(cè)試并量產(chǎn)交付。
蓉矽半導(dǎo)體指出,本次考核由第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)——廣電計(jì)量進(jìn)行。

蓉矽半導(dǎo)體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級(jí)為1200V,AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)H3TRB項(xiàng)目的反偏電壓要求通常為100V,而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V,蓉矽SiC MOSFET在此次考核中順利通過了HV-H3TRB可靠性驗(yàn)證,同時(shí)對(duì)于應(yīng)用端特別關(guān)注的柵氧可靠性問題,蓉矽的產(chǎn)品通過了VGS=+22V/-8V的嚴(yán)苛HTGB考核,表明器件在在更為極端的應(yīng)用場(chǎng)景中,也有優(yōu)秀的穩(wěn)定性和可靠性,可滿足新能源汽車、光伏逆變等領(lǐng)域?qū)β势骷母哔|(zhì)量和車規(guī)級(jí)可靠性要求。

蓉矽半導(dǎo)體表示,現(xiàn)階段行業(yè)中,AEC-Q101只是車規(guī)的門檻,如何保證交給客戶的每一個(gè)批次、每一顆產(chǎn)品都是符合這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的才是考驗(yàn)。蓉矽半導(dǎo)體正在用DFR設(shè)計(jì)理念,全供應(yīng)鏈管理體系,完整的質(zhì)量管理體系向客戶提供高質(zhì)量、高可靠性SiC功率器件。

蓉矽半導(dǎo)體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級(jí)為1200V,最大可持續(xù)電流達(dá)75A。
產(chǎn)品特點(diǎn)如下:

·采用溝道自對(duì)準(zhǔn)工藝和凸多邊形密鋪的元胞布局形式,增加溝道密度、降低溝道電阻,提升器件在單位面積內(nèi)的電流能力;

·采用多晶硅網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化技術(shù),充分降低柵極內(nèi)阻,提高器件在開關(guān)過程中對(duì)輸入電容的充放電速度,降低器件開關(guān)損耗;

·采用結(jié)終端優(yōu)化技術(shù),降低器件在結(jié)終端的曲率效應(yīng),提高器件耐壓能力;采用開爾文源的PAD設(shè)置,降低封裝中的雜散電感;

· VDD=800V時(shí),短路耐受時(shí)間>3μs,TO-247-4封裝測(cè)試開啟損耗為635μJ;

·在下圖中,A為外商產(chǎn)品,B為國內(nèi)廠商產(chǎn)品;所對(duì)比產(chǎn)品規(guī)格接近,封裝形式皆為TO-247-3L,驅(qū)動(dòng)電壓采用各廠商推薦值,測(cè)試結(jié)果采用標(biāo)準(zhǔn)化處理且蓉矽產(chǎn)品為“1”。從對(duì)比結(jié)果可以看出,得益于密勒電容和多晶硅電阻的優(yōu)化,蓉矽第一代SiC MOSFET在開關(guān)損耗上的表現(xiàn)在所有競(jìng)品中處于較好水平。

source:蓉矽半導(dǎo)體

蓉矽半導(dǎo)體SiC MOSFET應(yīng)用于新能源汽車OBC和直流充電樁模塊時(shí),可有效減少器件數(shù)量、簡化系統(tǒng)、降低損耗、提高效率,推動(dòng)提高充電速度、實(shí)現(xiàn)續(xù)航突破。

來源:瞻芯電子、蓉矽半導(dǎo)體

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。