張家港經(jīng)開(kāi)區(qū)官微消息，4月18日上午，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目在張家港經(jīng)開(kāi)區(qū)再制造基地正式開(kāi)工建設(shè)。
公開(kāi)資料顯示，能華半導(dǎo)體采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si),藍(lán)寶石基GaN（GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN（GaN-on-SiC) 晶圓與器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造與銷(xiāo)售。能華的6英寸/8英寸GaN晶圓和功率器件涵蓋40V-1200V。
能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目總投資6000萬(wàn)元，規(guī)劃建設(shè)生產(chǎn)廠房及配套設(shè)施，總建筑面積約10000平方米，采用先進(jìn)半導(dǎo)體外延、測(cè)試等工藝技術(shù)，購(gòu)置MOCVD、XRD衍射儀、AFM原子力顯微鏡等設(shè)備，新建GaN外延片產(chǎn)線。項(xiàng)目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。該項(xiàng)目將對(duì)經(jīng)開(kāi)區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行橫向擴(kuò)能和縱向延伸，進(jìn)一步增強(qiáng)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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