晶圓代工大廠漢磊擬進軍8英寸化合物半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 06 月 19 日 16:25 | 分類 企業(yè)

晶圓代工廠漢磊擬進軍化合物半導(dǎo)體8英寸廠,考量投資成本太高,計劃與具有現(xiàn)成8英寸廠的企業(yè),展開策略合作; 半導(dǎo)體業(yè)界傳出,漢磊將與力積電合作,擬采技術(shù)作價方式,運用力積電的8英寸廠生產(chǎn),雙方資源互補,以達經(jīng)濟效益。

漢磊深耕化合物半導(dǎo)體中的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)長達10年以上,也是中國臺灣少數(shù)半導(dǎo)體業(yè)擁有SiC、GaN技術(shù)的廠商,但旗下的晶圓廠都屬6英寸廠,隨著國際大廠與國內(nèi)同業(yè)逐漸建立化合物半導(dǎo)體8英寸生產(chǎn)線,漢磊也開始展開進軍8英寸廠的準備。

source:漢磊

漢磊董事長徐建華于上周股東會后受訪指出,目前漢磊正積極進行8寸廠的準備,包括技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn),但就生產(chǎn)而言,自己蓋晶圓廠的成本太高,將找已有8英寸廠的企業(yè)策略合作,才具最佳經(jīng)濟效益。

就合作時間考量,徐建華表示,因目前8寸襯底價格超過6英寸三倍,他估計大約還要等一年到一年半的時間,等襯底降到合理價格,將是發(fā)展8英寸的最好時機點。他并說,可能今年就可敲定合作對象,目前不方便透露。

半導(dǎo)體業(yè)界透露,力積電在化合物半導(dǎo)體欠缺技術(shù),尤其是門檻較高的SiC,8英寸廠產(chǎn)能利用率也不高,漢磊將與力積電合作,擬采技術(shù)作價方式,雙方資源互補,以達經(jīng)濟效益,目前洽談合作中。
隨著產(chǎn)業(yè)往高頻的5G通訊、高電壓的電動車發(fā)展,未來AI更是看好,擁有高頻、高電壓的GaN、SiC的化合物半導(dǎo)體前景看好,徐建華尤其看好SiC,包括電動車、能源與AI,都會驅(qū)動SiC的應(yīng)用與需求大幅提升。

不過,化合物半導(dǎo)體以國際大廠包括Wolfspeed、英飛凌(Infineon)、安森美(ON Semi)等歐美日廠商為主,近幾年中國大陸積極投入資源,砸重金搶占市場,企圖彎道超車,產(chǎn)能大幅開出、殺價競爭,傳出SiC報價比漢磊少一半以上,漢磊與力積電未來在8吋廠攜手合作,也很難與中國大陸競爭。(來源:自由時報)

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