成本可降低10%,日本推碳化硅襯底新技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 14:20 | 分類 功率

據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報(bào)道,日本中央硝子(Central Glass)開發(fā)出了用于功率半導(dǎo)體材料“碳化硅(SiC)”襯底的新制造技術(shù)。

據(jù)介紹,中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液(液相法)來制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長(升華法)的傳統(tǒng)技術(shù)相比,液相法在增大襯底尺寸以及提高品質(zhì)方面更具優(yōu)勢。該技術(shù)可使襯底的制造成本降低10%以上,良率也會(huì)大幅度提升。

由于利用液相法制備SiC襯底較為復(fù)雜,此前該技術(shù)一直未應(yīng)用在實(shí)際生產(chǎn)中。中央硝子運(yùn)用基于計(jì)算機(jī)的計(jì)算化學(xué),通過推算溶液的動(dòng)態(tài)等,成功量產(chǎn)出了6英寸SiC襯底。在此基礎(chǔ)上,公司打算最早于2030年把尺寸擴(kuò)大到8英寸。

source:中央硝子

據(jù)了解,自2022年4月起,中央硝子就已經(jīng)開始使用液相法研究和開發(fā)SiC晶圓。

今年4月,中央硝子宣布其“高質(zhì)量8英寸SiC單晶/晶片制造技術(shù)開發(fā)”項(xiàng)目通過審查,被日本新能源和工業(yè)技術(shù)開發(fā)組織(NEDO)的視為綠色創(chuàng)新基金項(xiàng)目(項(xiàng)目期限為2022財(cái)年至2029財(cái)年)。該項(xiàng)目后續(xù)將獲得來自NEDO的資助,這一進(jìn)展將有助于中央硝子加速8英寸SiC襯底的開發(fā)。

報(bào)道指出,為了讓客戶采用以新技術(shù)制作的SiC襯底,中央硝子已開始與歐美的大型半導(dǎo)體企業(yè)等展開商討。中央硝子最早將于2024年夏天開始向客戶提供樣品,2027~2028年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。該公司將在日本國內(nèi)的工廠實(shí)施數(shù)十億日元規(guī)模的投資,爭取將市場份額超過10%。(來源:日經(jīng)中文網(wǎng)、集邦化合物半導(dǎo)體整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。